特許
J-GLOBAL ID:201803004092113273
導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 津国
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2016067134
公開番号(公開出願番号):WO2016-204051
出願日: 2016年06月08日
公開日(公表日): 2016年12月22日
要約:
パターン転写の際の反射型マスクの位置ずれを防止することができる反射型マスクを製造するための導電膜付き基板を得る。 リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板の主表面上の一方の表面に、導電膜が形成された導電膜付き基板であって、前記導電膜表面の静摩擦係数が0.25以上であることを特徴とする導電膜付き基板である。
請求項(抜粋):
リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板の主表面上の一方の表面に、導電膜が形成された導電膜付き基板であって、
前記導電膜表面の静摩擦係数が0.25以上であることを特徴とする導電膜付き基板。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (24件):
2H195BA10
, 2H195BC11
, 2H195BC16
, 2H195BC17
, 2H195BC19
, 2H195CA01
, 2H195CA15
, 2H195CA16
, 2H195CA17
, 2H195CA22
, 2H197AA06
, 2H197BA11
, 2H197CA07
, 2H197CA09
, 2H197CA10
, 2H197CD03
, 2H197CD05
, 2H197CE01
, 2H197CE10
, 2H197GA01
, 2H197GA05
, 2H197GA10
, 2H197HA03
, 2H197JA05
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