発光ダイオードチップの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：松本昂 , 岡本知広 , 笠原崇廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-216399
公開番号（公開出願番号）：特開2018-074113
出願日： 2016年11月04日
公開日（公表日）： 2018年05月10日
要約：

【課題】十分な輝度が得られる発光ダイオードチップの製造方法を提供する。【解決手段】発光ダイオードチップの製造方法であって、結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハ11を準備するウエーハ準備工程と、内部に複数の気泡29が形成された透明基板21の表面にウエーハの各LED回路に対応して複数の窪み9を形成する第1の透明基板加工工程と、ウエーハの裏面に透明基板の表面を貼着して一体化ウエーハ25を形成する一体化工程と、ウエーハの裏面に貼着された透明基板の裏面にウエーハの各LED回路に対応して複数の窪みを形成する第2の透明基板加工工程と、ウエーハを分割予定ラインに沿って透明基板と共に切断して一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

発光ダイオードチップの製造方法であって、結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、該積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、内部に複数の気泡が形成された透明基板の表面に該ウエーハの各LED回路に対応して複数の窪みを形成する第1の透明基板加工工程と、該第1の透明基板加工工程を実施した後、該ウエーハの裏面に該透明基板の表面を貼着して一体化ウエーハを形成する一体化工程と、該一体化工程を実施した後、該ウエーハの裏面に貼着された該透明基板の裏面に該ウエーハの各LED回路に対応して複数の窪みを形成する第2の透明基板加工工程と、該第2の透明基板加工工程を実施した後、該ウエーハを該分割予定ラインに沿って該透明基板と共に切断して該一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程と、を備えたことを特徴とする発光ダイオードチップの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 33/22

FI (1件)：

H01L33/22

Fターム (8件)：

5F241AA04 , 5F241CA04 , 5F241CA40 , 5F241CA74 , 5F241CA75 , 5F241CA76 , 5F241CA77 , 5F241CB36

引用特許：

審査官引用 (9件)

大型の逆さ光取り出し構造付の装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2014-516027 出願人：センサーエレクトロニックテクノロジーインコーポレイテッド
発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-325120 出願人：豊田合成株式会社
加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-120243 出願人：株式会社ディスコ

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