特許
J-GLOBAL ID:201803004322812834

多段構造体を有するテンプレートの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 藤枡 裕実 ,  深町 圭子 ,  伊藤 英生 ,  後藤 直樹 ,  伊藤 裕介 ,  立石 英之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-181043
公開番号(公開出願番号):特開2018-046212
出願日: 2016年09月15日
公開日(公表日): 2018年03月22日
要約:
【課題】 本発明は、2段以上の段差構造の形成にアライメント機能を備えた描画装置を要することなく、高い位置精度で微細な多段構造体を形成することが可能な、多段構造体を有するテンプレートの製造方法を提供することを主たる目的とする。 【解決手段】 マスクパターンを基板の主面に有する基板を準備する工程と、マスクパターンから露出する基板の主面をエッチングする工程と、前記エッチング工程により形成された、基板の第1のエッチング底面の上、該第1のエッチング底面に接する第1のエッチング側面の上、並びにマスクパターンの上に、第1のALD膜を形成する工程と、第1のALD膜をエッチバックする工程と、前記エッチバック工程により露出した第1のエッチング底面をエッチングする工程と、第1のALD膜を除去する工程と、を順に備えることにより上記課題を解決する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
2段以上の段差構造から構成される多段構造体を主面に有するテンプレートの製造方法であって、 マスクパターンが光透過性基板の主面に形成されているマスクパターン付き光透過性基板を準備するマスクパターン付き光透過性基板準備工程と、 前記マスクパターンから露出する前記光透過性基板の主面をエッチングする第1の光透過性基板エッチング工程と、 前記第1の光透過性基板エッチング工程により形成された、前記光透過性基板の第1のエッチング底面の上、該第1のエッチング底面に接する第1のエッチング側面の上、並びに前記マスクパターンの上に、第1のALD膜を形成する第1のALD膜形成工程と、 前記第1のALD膜をエッチバックして、前記第1のエッチング側面の上に形成した第1のALD膜を残しながら、前記第1のエッチング底面の上に形成した第1のALD膜を除去して、前記第1のエッチング底面を露出させる第1のALD膜エッチバック工程と、 前記露出した第1のエッチング底面をエッチングする、第2の光透過性基板エッチング工程と、 前記第1のALD膜を除去する、ALD膜除去工程と、 を順に備えることを特徴とする、多段構造体を有するテンプレートの製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  B29C 33/38 ,  H01L 21/306
FI (3件):
H01L21/30 502D ,  B29C33/38 ,  H01L21/302 105A
Fターム (14件):
4F202AF01 ,  4F202AG05 ,  4F202AH33 ,  4F202AJ06 ,  4F202AR19 ,  4F202CA19 ,  4F202CD24 ,  4F202CD30 ,  5F004DA04 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004EA27 ,  5F146AA32
引用特許:
審査官引用 (4件)
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