特許

J-GLOBAL ID：201803004337053883

スピネルフェライトの製造方法、スピネルフェライトおよび積層構造体

発明者： 柳原 英人 ,  小野田 浩成 ,  介川 裕章
出願人/特許権者： 国立大学法人 筑波大学 ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構
代理人 (1件)： 亀井 岳行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-036895
公開番号（公開出願番号）：特開2018-142652
出願日： 2017年02月28日
公開日（公表日）： 2018年09月13日
要約：

【課題】従来に比べて、垂直磁気異方性の高いスピネルフェライトを作製すること。【解決手段】基層(K2)の結晶の格子定数をaとし、スピネルフェライト(K3)の結晶の格子定数をbとした場合に、b<a、且つ、0.0153<(a-b)/b≦0.0628を満たす基層(K2)の表面に、スピネル型結晶構造を有するスピネルフェライト(K3)をエピタキシャル成長させてスピネルフェライト(K3)を製造することを特徴とするスピネルフェライトの製造方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基層の結晶の格子定数をaとし、スピネルフェライトの結晶の格子定数をbとした場合に、b<a、且つ、0.0153<(a-b)/b≦0.0628を満たす基層の表面に、スピネル型結晶構造を有するスピネルフェライトをエピタキシャル成長させてスピネルフェライトを製造することを特徴とするスピネルフェライトの製造方法。

IPC (7件)：

H01F 10/20 ,  G11B 5/851 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/738 ,  H01F 41/18 ,  H01F 10/28 ,  H01F 1/10

FI (7件)：

H01F10/20 ,  G11B5/851 ,  G11B5/65 ,  G11B5/738 ,  H01F41/18 ,  H01F10/28 ,  H01F1/10

Fターム (21件)：

5D006BB01 ,  5D006BB07 ,  5D006CA01 ,  5D006CA05 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112BB04 ,  5D112BD03 ,  5D112FA04 ,  5E040AB03 ,  5E040BD05 ,  5E040CA06 ,  5E040HB16 ,  5E040NN06 ,  5E049AB04 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5E049DB04 ,  5E049GC01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁性材料、垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁性材料の製造方法及び垂直磁気記録媒体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-170655   出願人：国立大学法人筑波大学
• 特開平3-017813
  
• 酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-178383   出願人：出光興産株式会社
• 磁気薄膜構造体、磁気記録媒体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-272198   出願人：三星電子株式会社