特許
J-GLOBAL ID：201803004337053883

スピネルフェライトの製造方法、スピネルフェライトおよび積層構造体

発明者：
柳原 英人

柳原 英人 について

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小野田 浩成

小野田 浩成 について

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介川 裕章

介川 裕章 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 筑波大学

国立大学法人 筑波大学 について

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国立研究開発法人物質・材料研究機構

国立研究開発法人物質・材料研究機構 について


代理人 (1件)： 亀井 岳行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-036895
公開番号（公開出願番号）：特開2018-142652
出願日： 2017年02月28日
公開日（公表日）： 2018年09月13日
要約：
【課題】従来に比べて、垂直磁気異方性の高いスピネルフェライトを作製すること。【解決手段】基層(K2)の結晶の格子定数をaとし、スピネルフェライト(K3)の結晶の格子定数をbとした場合に、b 請求項（抜粋）：
基層の結晶の格子定数をaとし、スピネルフェライトの結晶の格子定数をbとした場合に、b IPC (7件)：
H01F 10/20 ,  G11B 5/851 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/738 ,  H01F 41/18 ,  H01F 10/28 ,  H01F 1/10
FI (7件)：
H01F10/20 ,  G11B5/851 ,  G11B5/65 ,  G11B5/738 ,  H01F41/18 ,  H01F10/28 ,  H01F1/10
Fターム (21件)：
5D006BB01 ,  5D006BB07 ,  5D006CA01 ,  5D006CA05 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112BB04 ,  5D112BD03 ,  5D112FA04 ,  5E040AB03 ,  5E040BD05 ,  5E040CA06 ,  5E040HB16 ,  5E040NN06 ,  5E049AB04 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5E049DB04 ,  5E049GC01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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