特許
J-GLOBAL ID：201803004409723706

評価装置および半導体チップの評価方法

発明者：
岡田 章

岡田 章 について

, 
野口 貴也

野口 貴也 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-203624
公開番号（公開出願番号）：特開2018-066578
出願日： 2016年10月17日
公開日（公表日）： 2018年04月26日
要約：
【課題】本発明は、評価装置および半導体チップの評価方法に関し、半導体チップの温度を安定させ易い評価装置および半導体チップの評価方法を得ることを目的とする。【解決手段】本発明に係る評価装置は、真空吸着機構を備えたステージと、該ステージの上に設けられ、第1面と該第1面と対向する第2面とを有し、該第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、該複数の第1凹部の各々の底面から該第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、該試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、該複数のプローブに電流を供給する評価部と、該第1面に設けられ、該試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、を備える。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
真空吸着機構を備えたステージと、 第1面と、前記第1面と反対の面であり前記ステージに対向する第2面とを有し、前記第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、前記複数の第1凹部の各々の底面から前記第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、 前記試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、 前記複数のプローブに電流を供給する評価部と、 前記第1面に設けられ、前記試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、 を備えることを特徴とする評価装置。
IPC (3件)：
G01R 31/26 ,  H01L 21/683 ,  H01L 21/66
FI (3件)：
G01R31/26 Z ,  H01L21/68 N ,  H01L21/66 B
Fターム (42件)：
2G003AC03 ,  2G003AD03 ,  2G003AE09 ,  2G003AG04 ,  2G003AH05 ,  2G003AH07 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106CA01 ,  4M106DD01 ,  4M106DG02 ,  4M106DH56 ,  4M106DJ02 ,  4M106DJ03 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ05 ,  4M106DJ06 ,  4M106DJ07 ,  4M106DJ32 ,  5F131AA04 ,  5F131CA09 ,  5F131CA24 ,  5F131DA05 ,  5F131DA07 ,  5F131DA33 ,  5F131DA43 ,  5F131DB72 ,  5F131EA02 ,  5F131EA17 ,  5F131EB01 ,  5F131EB67 ,  5F131EB75 ,  5F131EB78 ,  5F131EB81 ,  5F131EB87 ,  5F131GA05 ,  5F131GA26 ,  5F131GA42 ,  5F131GA52 ,  5F131GA62 ,  5F131GA66 ,  5F131GA72
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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