特許

J-GLOBAL ID：201803004415336153

太陽電池及びその製造方法

発明者： ト ヨンク ,  キム ソンチン ,  チェ ヒョンウク
出願人/特許権者： エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  三橋 真二 ,  河合 章 ,  南山 知広 ,  竹本 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-030988
公開番号（公開出願番号）：特開2018-142703
出願日： 2018年02月23日
公開日（公表日）： 2018年09月13日
要約：

【課題】本発明は、太陽電池の効率を向上させ、工程性に優れた太陽電池及び太陽電池製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の一面及び前記一面と対向する他面上に第1導電型ドーパントを含む第1導電型領域を形成し、前記半導体基板の他面に配置された前記第1導電型領域を乾式食刻で除去し、前記半導体基板の他面に第2導電型ドーパントを含む第2導電型領域を形成する太陽電池及びその製造方法を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の一面及び前記一面と対向する他面上に第1導電型ドーパントを含む第1導電型領域を形成する段階と、 前記半導体基板の他面に配置された前記第1導電型領域を乾式食刻で除去する段階と、 前記半導体基板の他面に第2導電型ドーパントを含む第2導電型領域を形成する段階とを含み、 前記第1導電型領域を除去する段階は、反応性イオン食刻(reactive ion etching、RIE)によって行い、六フッ化硫黄ガス及び酸素ガスを使用する、太陽電池製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/023 ,  H01L 31/068 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L31/04 280 ,  H01L31/06 300 ,  H01L21/302 105B ,  H01L21/302 101B

Fターム (24件)：

5F004AA16 ,  5F004CA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004EA28 ,  5F004EA37 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151AA16 ,  5F151CB12 ,  5F151CB14 ,  5F151CB19 ,  5F151CB20 ,  5F151CB22 ,  5F151CB24 ,  5F151CB29 ,  5F151DA03 ,  5F151FA14 ,  5F151GA04 ,  5F151GA14 ,  5F151GA15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-231421   出願人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド

審査官引用 (1件)

• 太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-231421   出願人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド