温度補償を用いる適応ゲート駆動回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：蔵田昌俊 , 福原淑弘 , 井関守三 , 奥村元宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-524486
特許番号：特許第6306004号
出願日： 2013年07月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】装置であって、供給電圧と負荷との間に結合された金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の温度を感知するように構成された温度センサと、前記MOSFETの感知された前記温度に基づいて決定された可変周波数を有する少なくとも1つの制御信号を生成するように構成された制御回路と、前記少なくとも1つの制御信号に基づいて、前記MOSFETのためのバイアス電圧を生成するように構成されたゲート駆動回路、ここにおいて、前記ゲート駆動回路が、第1の感知された温度のための第1の駆動能力を有し、前記第1の感知された温度よりも高い第2の感知された温度のための前記第1の駆動能力よりも大きい第2の駆動能力を有する、と、を備える、装置。

IPC (1件)：