特許
J-GLOBAL ID:201803004579481847
高光電変換効率太陽電池の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
折坂 茂樹
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2016083811
公開番号(公開出願番号):WO2018-092189
出願日: 2016年11月15日
公開日(公表日): 2018年05月24日
要約:
【課題】容易に、安価に、かつ歩留まりよく製造できる裏面電極型の高光電変換効率太陽電池を提供する。【解決手段】本発明の高光電変換効率太陽電池は、第1導電型の半導体基板の非受光面である裏面に、第1導電型の不純物が拡散された第1導電型拡散層と、第2導電型の不純物が拡散された第2導電型拡散層と、第1導電型拡散層と第2導電型拡散層との間に形成される高抵抗層又は真性半導体層と、を備える。
請求項(抜粋):
第1導電型の半導体基板の非受光面である裏面に、
第1導電型の不純物が拡散された第1導電型拡散層と、
第2導電型の不純物が拡散された第2導電型拡散層と、
前記第1導電型拡散層と前記第2導電型拡散層との間に形成される高抵抗層又は真性半導体層と、
を備える高光電変換効率太陽電池。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L31/06 300
, H01L31/04 570
Fターム (16件):
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151AA16
, 5F151CB13
, 5F151CB20
, 5F151CB21
, 5F151CB27
, 5F151CB30
, 5F151DA03
, 5F151DA10
, 5F151DA20
, 5F151FA15
, 5F151GA04
, 5F151GA15
, 5F151HA03
, 5F151HA20
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