特許

J-GLOBAL ID：201803004604092427

半導体装置およびその製造方法

発明者： 山竹 厚 ,  塩田 裕基
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 大岩 増雄 ,  竹中 岑生 ,  村上 啓吾 ,  吉澤 憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-131289
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006569
出願日： 2016年07月01日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：

【課題】絶縁基板上に設けられた電極の上側角部における放電を抑制することが可能な絶縁信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板2に接合された電極3の上面端部に沿って、固形の絶縁物で構成された流動制御部材11を設置し、流動制御部材11の側面11c、電極3の側面3c、および絶縁基板2の沿面に、液状の絶縁樹脂10を塗布する。絶縁樹脂10には、絶縁耐圧が高く、且つ未硬化時の粘度が比較的低いエポキシ系やポリイミド系等の樹脂材料が用いられる。流動制御部材11は、電極3の上側角部3b付近の液状の絶縁樹脂10の流動を抑制するため、電極3の上側角部3bに十分な厚さの絶縁樹脂10を塗布することができ、電極3の下側角部3aのみならず上側角部3bにおける放電を抑制することが可能である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁基板の一方の主面に接合された電極と、 前記電極の上面に搭載された半導体素子と、 前記電極の上面端部に沿って配設された流動制御部材と、 少なくとも、前記流動制御部材の一部、前記電極の前記絶縁基板との接合面と前記上面とを繋ぐ側面、および前記絶縁基板の一部を被覆するように設けられた絶縁樹脂とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/56 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (4件)：

H01L23/30 D ,  H01L23/30 B ,  H01L21/56 E ,  H01L25/04 C

Fターム (10件)：

4M109AA02 ,  4M109CA05 ,  4M109DB07 ,  4M109EA10 ,  4M109EE06 ,  5F061AA02 ,  5F061BA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA04 ,  5F061CB05