特許

J-GLOBAL ID：201803004744265631

半導体装置

発明者： 福田 祐介
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
代理人 (3件)： 棚井 澄雄 ,  松沼 泰史 ,  小室 敏雄
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016077803
公開番号（公開出願番号）：WO2018-055688
出願日： 2016年09月21日
公開日（公表日）： 2018年03月29日
要約：

半導体装置は、炭化ケイ素を主成分として構成されたN型半導体の半導体層と、半導体層にオーミック接触され、炭化チタンを主成分として構成されたオーミック層とを備える。

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素を主成分として構成されたN型半導体の半導体層と、 前記半導体層にオーミック接触され、炭化チタンを主成分として構成されたオーミック層と を備える半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/41

FI (3件)：

H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/44 S

Fターム (8件)：

4M104AA03 ,  4M104BB34 ,  4M104CC01 ,  4M104DD24 ,  4M104DD81 ,  4M104GG02 ,  4M104GG07 ,  4M104HH15