特許
J-GLOBAL ID：201803004793416114
半導体パッケージの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
青木 宏義
, 天田 昌行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-255911
公開番号（公開出願番号）：特開2018-107408
出願日： 2016年12月28日
公開日（公表日）： 2018年07月05日
要約：
【課題】側面に対して所定の膜厚のシールド層を効率的に形成すること。【解決手段】配線基板(11)上の半導体チップ(12)を封止剤で封止した半導体パッケージ(10)の製造方法であって、配線基板の表面に複数の半導体チップをボンディングし、配線基板の表面に封止剤を供給して封止基板(15)を作成し、封止基板の樹脂層(13)側からVブレード(39)で加工して分割予定ラインに沿ってV溝(25)を形成し、V溝に沿って配線基板を分割して個々のパッケージ(21)に個片化し、各パッケージの上面(22)及び側面(23)に電磁波シールド層(16)を形成する構成にした。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
封止剤により封止された半導体パッケージを作成する半導体パッケージの製造方法であって、
交差する分割予定ラインによって区画された配線基板表面上の複数領域に複数の半導体チップをボンディングするチップボンディング工程と、
該複数の半導体チップがボンディングされた該配線基板の表面側に封止剤を供給して封止し封止基板を作成する封止基板作成工程と、
該封止基板形成工程を実施した後に、該封止基板の該配線基板側を保持治具に保持し、加工工具を該封止剤側から該封止基板の厚み方向途中まで切り込み該分割予定ラインに対応する領域に沿って加工し、該封止剤上面から加工溝底に向かって傾斜した側面を備えるようにV溝を形成するV溝形成工程と、
該V溝形成工程を実施した後に、該V溝に沿って該配線基板を分割して該分割予定ラインに沿って個々のパッケージに個片化する個片化工程と、
該個片化工程を実施した後に、複数の該パッケージの該封止剤上面及び傾斜している側面に電磁波シールド層を形成するシールド層形成工程と、
を備える半導体パッケージの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/28
, H01L 21/301
, H01L 23/02
H01L23/28 F
, H01L21/78 Q
, H01L23/02 C
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA05
, 4M109EA02
, 4M109EA07
, 4M109EA10
, 4M109EE07
, 5F063AA37
, 5F063BA17
, 5F063BA20
, 5F063BB02
, 5F063CB05
, 5F063CB25
, 5F063CC12
, 5F063DD02
, 5F063DD08
