特許

J-GLOBAL ID：201803004917033278

デバイス製造方法

発明者： 渡邉 陽司
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 大森 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-099232
公開番号（公開出願番号）：特開2018-137484
出願日： 2018年05月24日
公開日（公表日）： 2018年08月30日
要約：

【課題】微細な非周期的な部分を含むパターンを露光装置又はリソグラフィー工程を用いて形成する。【解決手段】パターン形成方法は、ウエハの第1中間層上の第1マスク層に、第1方向を長手方向としてエッチング特性が異なる第3及び第4の複数のラインパターンを一方のエッジ部が隣接するように形成するステップと、第3及び第4のラインパターンの一部を順次除去するステップと、その第1マスク層の凹部にマスク材料を充填しラインパターンを除去してマスクパターンを形成するステップと、そのマスクパターンを介して第1中間層を加工するステップと、を有する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1層に、第1方向を長手方向とする複数の第1のラインパターンを形成することと、 前記第1層よりも上の第2層に、前記第1方向と交差する第2方向を長手方向とする複数の第2のラインパターンと、前記第2方向を長手方向とするとともに前記第1のラインパターンとエッチング特性が異なる複数の第2のラインパターンとを、少なくとも一方のエッジ部が隣接するように形成することと を含み、 前記隣接するエッジ部は、前記第2層の前記第1層と反対側から見たとき、前記複数の第1のラインパターンのうち互いに隣接する2つの第1のラインパターンの間に位置する デバイス製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  G03F 7/22 ,  G03F 7/20

FI (3件)：

H01L21/302 105A ,  G03F7/22 H ,  G03F7/20 521

Fターム (23件)：

2H197AA06 ,  2H197AA09 ,  2H197AA12 ,  2H197AA24 ,  2H197AB12 ,  2H197BA11 ,  2H197CA06 ,  2H197CA08 ,  2H197CA09 ,  2H197HA03 ,  2H197JA05 ,  2H197JA15 ,  5F004AA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA01 ,  5F004EA15 ,  5F004EA32

引用特許：

審査官引用 (1件)

• パターン形成方法及びデバイス製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-196802   出願人：株式会社ニコン