特許

J-GLOBAL ID：201803004928684572

光電変換素子、撮像素子、積層型撮像素子及び撮像装置

発明者： 村田 昌樹 ,  氏家 康晴 ,  平田 晋太郎 ,  熊谷 裕也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 山本 孝久 ,  吉井 正明
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016065850
公開番号（公開出願番号）：WO2016-208326
出願日： 2016年05月30日
公開日（公表日）： 2016年12月29日
要約：

撮像素子あるいは光電変換素子は、少なくとも、陽極21、キャリアブロッキング層22、有機光電変換層23、陰極25が、順次、積層されて成り、キャリアブロッキング層22は、下記の構造式(1)を有する材料、及び、有機光電変換層を構成する有機半導体材料の一部から成る。

請求項（抜粋）：

少なくとも、陽極、キャリアブロッキング層、有機光電変換層、陰極が、順次、積層されて成る撮像素子であって、 キャリアブロッキング層は、下記の構造式(1)を有する材料、及び、有機光電変換層を構成する有機半導体材料の一部から成る撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 51/42 ,  H01L 27/30

FI (3件)：

H01L27/146 E ,  H01L31/08 T ,  H01L27/30

Fターム (26件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118CA15 ,  4M118CB05 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118GD01 ,  5F849AA03 ,  5F849AB11 ,  5F849BA04 ,  5F849BA05 ,  5F849BB03 ,  5F849BB06 ,  5F849CB06 ,  5F849CB07 ,  5F849CB14 ,  5F849DA28 ,  5F849FA04 ,  5F849FA05 ,  5F849GA02 ,  5F849LA02 ,  5F849XA13 ,  5F849XA45 ,  5F849XA46