特許

J-GLOBAL ID：201803005310387115

半導体装置

発明者： 長谷川 裕一 ,  宮澤 直行
出願人/特許権者： 住友電工デバイス・イノベーション株式会社
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-227302
公開番号（公開出願番号）：特開2018-085613
出願日： 2016年11月22日
公開日（公表日）： 2018年05月31日
要約：

【課題】キャパシタの発熱を抑制すること。【解決手段】入力端子と出力端子とを備え、トランジスタが形成された半導体チップと、半導体チップを搭載する領域を提供するヒートシンクと、半導体チップに信号を入力する入力リードと、半導体チップからの信号を出力する出力リードと、第1バイアスリードと、を含むパッケージと、半導体チップの出力端子と接続された第1入力端と、第1出力端とを備え、第1出力端は第1入力端における第1インピーダンスよりも高い第2インピーダンスを有する第1インピーダンス変換回路と、ヒートシンク上に配置され、第1出力端と出力リードとの間に直列に接続された第1キャパシタと、第1インピーダンス変換回路のうち第1部分と、第1バイアスリードとの間を接続する第1ボンディングワイヤと、を具備し、第1部分から第1入力端を見たインピーダンスは、第2インピーダンスより低い半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

入力端子と出力端子とを備え、トランジスタが形成された半導体チップと、 前記半導体チップを搭載する領域を提供するヒートシンクと、前記ヒートシンクに設けられ前記半導体チップに信号を入力する入力リードと、前記ヒートシンクに設けられ前記半導体チップからの信号を出力する出力リードと、前記出力リードと分離して前記ヒートシンクに設けられた第1バイアスリードと、を含むパッケージと、 前記半導体チップの出力端子と接続された第1入力端と、第1出力端とを備え、前記第1出力端は前記第1入力端における第1インピーダンスよりも高い第2インピーダンスを有する第1インピーダンス変換回路と、 前記ヒートシンク上に配置され、前記第1インピーダンス変換回路の前記第1出力端と前記出力リードとの間に直列に接続された第1キャパシタと、 前記第1インピーダンス変換回路のうち前記第1入力端と前記第1出力端との間の第1部分と、前記第1バイアスリードとの間を接続する第1ボンディングワイヤと、を具備し、 前記第1部分から前記第1入力端を見たインピーダンスは、前記第2インピーダンスより低い半導体装置。

IPC (3件)：

H03F 3/195 ,  H03F 1/52 ,  H03F 3/60

FI (3件)：

H03F3/195 ,  H03F1/52 Z ,  H03F3/60

Fターム (29件)：

5J067AA01 ,  5J067AA04 ,  5J067AA41 ,  5J067CA58 ,  5J067CA86 ,  5J067FA16 ,  5J067HA09 ,  5J067HA29 ,  5J067HA33 ,  5J067KA03 ,  5J067KA29 ,  5J067KA65 ,  5J067MA19 ,  5J067QA04 ,  5J067SA14 ,  5J500AA01 ,  5J500AA04 ,  5J500AA41 ,  5J500AC86 ,  5J500AF16 ,  5J500AH09 ,  5J500AH29 ,  5J500AH33 ,  5J500AK03 ,  5J500AK29 ,  5J500AK65 ,  5J500AM19 ,  5J500AQ04 ,  5J500AS14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• マルチチップモジュール構造を有する高周波回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-048155   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-060205
  
• マイクロ波電力増幅器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-191743   出願人：三菱電機株式会社