特許

J-GLOBAL ID：201803005827004950

画像読取装置及び半導体装置

発明者： 鈴木 孝文
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-127807
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006864
出願日： 2016年06月28日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：

【課題】低消費電力化が可能な画像読取装置を提供すること。【解決手段】画像を読み取るための複数の画像読取チップを含む画像読取装置であって、前記複数の前記画像読取チップの各々は、前記画像からの光を受けて光電変換する受光素子を含む画素部と、前記受光素子による光電変換に基づいて生成された電荷を転送するための転送制御信号を生成する昇圧回路と、転送された前記電荷に基づいて画像信号を生成して出力する読み出し回路と、を有し、前記昇圧回路が、前記画素部の前記受光素子が前記光を受ける期間及び前記受光素子による光電変換に基づいて生成された電荷が転送される期間は動作し、他の前記画像読取チップの前記読み出し回路が前記画像信号を出力する期間は動作を停止する、画像読取装置。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

画像を読み取るための複数の画像読取チップを含む画像読取装置であって、 前記複数の前記画像読取チップの各々は、 前記画像からの光を受けて光電変換する受光素子を含む画素部と、 前記受光素子による光電変換に基づいて生成された電荷を転送するための転送制御信号を生成する昇圧回路と、 転送された前記電荷に基づいて画像信号を生成して出力する読み出し回路と、 を有し、 前記昇圧回路が、 前記画素部の前記受光素子が前記光を受ける期間及び前記受光素子による光電変換に基づいて生成された前記電荷が転送される期間は動作し、 他の前記画像読取チップの前記読み出し回路が前記画像信号を出力する期間は動作を停止する、 ことを特徴とする画像読取装置。

IPC (1件)：

H04N 1/028

FI (1件)：

H04N1/028 A

Fターム (9件)：

5C051AA01 ,  5C051BA02 ,  5C051DA03 ,  5C051DB01 ,  5C051DB08 ,  5C051DB18 ,  5C051DE01 ,  5C051EA09 ,  5C051FA01