特許

J-GLOBAL ID：201803005832457458

レジストパターン形成方法および現像条件の決定方法

発明者： 星野 学
出願人/特許権者： 日本ゼオン株式会社
代理人 (4件)： 杉村 憲司 ,  杉村 光嗣 ,  寺嶋 勇太 ,  結城 仁美
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016086273
公開番号（公開出願番号）：WO2017-115622
出願日： 2016年12月06日
公開日（公表日）： 2017年07月06日
要約：

本発明のレジストパターン形成方法は、α-メチルスチレン単位と、α-クロロアクリル酸メチル単位とを含有する重合体および溶剤を含むポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜を露光する工程と、露光されたレジスト膜を現像する工程と、を含み、重合体の分子量が100000超の成分の割合が13%以下であり、現像を、照射量が0.95Ethでの残膜率が0.250以上となる条件で行う、レジストパターン形成方法である。

請求項（抜粋）：

α-メチルスチレン単位と、α-クロロアクリル酸メチル単位とを含有する重合体および溶剤を含むポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜を露光する工程と、 前記露光されたレジスト膜を現像する工程と、 を含み、 前記重合体の分子量が100000超の成分の割合が13%以下であり、 前記現像を、照射量が0.95Ethでの残膜率が0.250以上となる条件で行う、レジストパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/039 501 ,  G03F7/32 ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 569F

Fターム (16件)：

2H196AA25 ,  2H196BA11 ,  2H196EA06 ,  2H196GA03 ,  2H197CA09 ,  2H197CE10 ,  2H197HA03 ,  2H225AM14P ,  2H225AM30P ,  2H225AN31P ,  2H225CA12 ,  2H225CB18 ,  2H225CC03 ,  2H225CC20 ,  2H225CD05 ,  5F146LA14