特許
J-GLOBAL ID:201803006259700888

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-130435
公開番号(公開出願番号):特開2018-006527
出願日: 2016年06月30日
公開日(公表日): 2018年01月11日
要約:
【課題】複数の冷却器3と複数の半導体モジュール4が積層されている半導体装置2に関し、内部の冷媒が凍結膨張したときに冷却器2の膨張を抑える技術を提供する。【解決手段】半導体装置2は、複数の冷却器3が並列に配置されているとともに、隣り合う冷却器3の間に半導体モジュール4が挟まれており、複数の冷却器3と複数の半導体モジュール4の積層体がそれらの積層方向に加圧されているデバイスである。冷却器3は、その内部に、積層方向と交差する方向に延びる冷媒流路を有している。隣り合う冷却器3は、挟まれている半導体モジュール4の側方を通る連結パイプ5で連結されている。連結パイプ5に隣接して、隣り合う冷却器3の間にスペーサ6が挟まれている。【選択図】図4
請求項(抜粋):
複数の冷却器が並列に配置されているとともに、隣り合う前記冷却器の間に半導体モジュールが挟まれており、複数の前記冷却器と複数の前記半導体モジュールの積層体がそれらの積層方向に加圧されている半導体装置であり、 前記冷却器は、その内部に、前記積層方向と交差する方向に延びる冷媒流路を有しており、 隣り合う前記冷却器は、挟まれている前記半導体モジュールの側方を通る連結パイプで連結されており、 前記連結パイプに隣接して、隣り合う前記冷却器の間にスペーサが挟まれている、半導体装置。
IPC (1件):
H01L 23/473
FI (1件):
H01L23/46 Z
Fターム (5件):
5F136CB06 ,  5F136CB27 ,  5F136DA27 ,  5F136EA38 ,  5F136FA02
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2010-149672   出願人:株式会社デンソー
  • 半導体素子の冷却構造
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2007-158845   出願人:トヨタ自動車株式会社
  • 発熱素子の冷却装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2008-050889   出願人:日産自動車株式会社
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2010-149672   出願人:株式会社デンソー
  • 半導体素子の冷却構造
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2007-158845   出願人:トヨタ自動車株式会社
  • 発熱素子の冷却装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2008-050889   出願人:日産自動車株式会社

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