マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大塚武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-030096
公開番号（公開出願番号）：特開2018-141969
出願日： 2018年02月22日
公開日（公表日）： 2018年09月13日
要約：

【課題】レジストパターンをマスクとし、塩素系ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングでクロム系材料のハードマスク膜をパターニングした場合、サイドエッチング量及びLine Width Roughnessを低減できるマスクブランクを提供する。【解決手段】透光性基板1上に、ケイ素及びタンタルから選ばれる1以上の元素を含有する材料からなる遮光膜2と、クロム、酸素及び炭素を含有する材料からなるハードマスク膜3が積層されている。ハードマスク膜3は、その表面及び近傍領域に酸素含有量が増加した組成傾斜部を有する単層膜であり、X線光電子分光法で分析して得られるN1sのナロースペクトルの最大ピークが検出下限値以下であり、ハードマスク膜3の組成傾斜部を除いた部分は、クロム含有量が50原子%以上で、X線光電子分光法で分析して得られるCr2pのナロースペクトルが574eV以下の結合エネルギーで最大ピークを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透光性基板上に、遮光膜およびハードマスク膜がこの順に積層した構造を備えるマスクブランクであって、前記遮光膜は、ケイ素およびタンタルから選ばれる1以上の元素を含有する材料からなり、前記ハードマスク膜は、前記遮光膜側とは反対側の表面及びその近傍の領域に酸素含有量が増加した組成傾斜部を有する単層膜であり、前記ハードマスク膜は、クロム、酸素および炭素を含有する材料からなり、前記ハードマスク膜の組成傾斜部を除いた部分は、クロム含有量が50原子%以上であり、前記ハードマスク膜は、X線光電子分光法で分析して得られるN1sのナロースペクトルの最大ピークが検出下限値以下であり、前記ハードマスク膜の組成傾斜部を除いた部分は、X線光電子分光法で分析して得られるCr2pのナロースペクトルが574eV以下の結合エネルギーで最大ピークを有することを特徴とするマスクブランク。

IPC (5件)：

G03F 1/50 , G03F 1/32 , G03F 1/30 , G03F 1/24 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F1/50 , G03F1/32 , G03F1/30 , G03F1/24 , H01L21/30 502D

Fターム (15件)：

2H195BA06 , 2H195BA10 , 2H195BB03 , 2H195BB06 , 2H195BB14 , 2H195BB16 , 2H195BB25 , 2H195BB31 , 2H195BB37 , 2H195BB38 , 2H195BC05 , 2H195BC08 , 2H195BC11 , 2H195BC24 , 5F146AA32

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