特許

J-GLOBAL ID：201803006436871752

酸化物膜の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-210745
公開番号（公開出願番号）：特開2014-129590
特許番号：特許第6325229号
出願日： 2013年10月08日
公開日（公表日）： 2014年07月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 c軸が互いに不規則に配向した複数の結晶粒を有する多結晶酸化物を含むスパッタリング用ターゲットを用いて、前記スパッタリング用ターゲットの表面と被成膜面とに接して、イオン化した不活性ガスを含むプラズマ空間を形成し、 前記スパッタリング用ターゲットの表面に、前記イオン化した不活性ガスを衝突させて、前記複数の結晶粒のa-b面でなる劈開面から複数の平板状のスパッタリング粒子を剥離し、 前記複数の平板状のスパッタリング粒子の各々は、前記平板状の形状を概略維持しながら、前記プラズマ空間を介して前記被成膜面に輸送され、 前記複数の平板状のスパッタリング粒子は、同一の極性に帯電し、 前記被成膜面において、同一の極性に帯電した前記複数の平板状のスパッタリング粒子が互いに反発して平面において隣り合い、かつ、c軸が前記被成膜面と概略垂直となるように配列して堆積し、 前記多結晶酸化物は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、 前記劈開面は、インジウムを含まないことを特徴とする酸化物膜の作製方法。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  C23C 14/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/363 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (6件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 K ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 620

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-278588   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所