半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 鈴木三義 , 柳井則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-167281
公開番号（公開出願番号）：特開2018-037466
出願日： 2016年08月29日
公開日（公表日）： 2018年03月08日
要約：

【課題】2種類の半導体の接合によるヘテロ界面を有する半導体装置であって、ヘテロ界面における電荷の移動・分離・再結合の制御性を高め、PVRを向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置100は、基板101と、基板の一方の主面101aに形成された絶縁膜102と、絶縁膜102上に形成されたp型有機半導体膜103およびn型有機半導体膜104と、p型有機半導体膜103上に形成された第1電極105と、n型有機半導体膜104上に形成された第2電極106と、を備え、p型有機半導体膜103の一部とn型有機半導体膜104の一部とが重なって、平坦なヘテロ界面Sが形成されており、p型有機半導体膜103を構成する分子、n型有機半導体膜104を構成する分子は、基板の一方の主面101aに対して垂直に配向していることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の一方の主面に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたp型有機半導体膜およびn型有機半導体膜と、前記p型有機半導体膜上に形成された第1電極と、前記n型有機半導体膜上に形成された第2電極と、を備え、前記p型有機半導体膜の一部と前記n型有機半導体膜の一部とが重なって、平坦なヘテロ界面が形成されており、前記p型有機半導体膜を構成する分子、前記n型有機半導体膜を構成する分子は、前記基板の一方の主面に対して垂直に配向していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05

FI (5件)：

H01L29/78 622 , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 617S , H01L29/28 100A

Fターム (27件)：

5F110AA01 , 5F110AA09 , 5F110BB13 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110EE08 , 5F110EE11 , 5F110EE30 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG19 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HM12

引用特許：

審査官引用 (6件)

n型及びヘテロ接合型有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-222746 出願人：関東電化工業株式会社, 日本放送協会
有機発光素子、有機トランジスタおよびそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-055742 出願人：シャープ株式会社
有機トランジスタ、表示装置及び有機トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-033759 出願人：シャープ株式会社, 国立大学法人東京大学

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