半導体製造装置のクリーニング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小野新次郎 , 山本修 , 宮前徹 , 中西基晴 , 松田豊治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-069062
公開番号（公開出願番号）：特開2018-129527
出願日： 2018年03月30日
公開日（公表日）： 2018年08月16日
要約：

【課題】XF(XはCl、Br又はI)で示されるモノフルオロハロゲン化合物を主成分として含有する半導体製造装置のクリーニングガス組成物を用いたクリーニング方法及そのモノフルオロハロゲン化合物によって処理室または処理容器内部に堆積する不要な膜を処理室又は処理容器内部にダメージを与えず、制御性良くクリーニングできる方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造に用いられる処理室又は処理容器内部において、処理操作後に処理室又は処理容器内部に付着したSiを含有する堆積物を除去する際に、この処理室または処理容器内にXF(XはCl、Br又はI)で示されるモノフルオロハロゲンガスを供給することで、Siを含有する堆積物を除去することを特徴とするクリーニング方法である。処理室又は処理容器内に前記モノフルオロハロゲンガスを供給した際の、処理室または処理容器内の温度が400°C以上である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造に用いられる処理室または処理容器の内部において、処理操作後に処理室または処理容器の内部に付着したSiを含有する堆積物を除去する際に、この処理室または処理容器内にXF(XはCl、Br又はI)で示されるモノフルオロハロゲンガスを供給することで、Siを含有する堆積物を除去することを特徴とするクリーニング方法であって、処理室または処理容器内に前記モノフルオロハロゲンガスを供給した際の処理室または処理容器内の温度が400°C以上である、方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , H01L 21/306 , H01L 21/302 , C23C 16/44

FI (4件)：

H01L21/31 B , H01L21/302 101H , H01L21/302 201A , C23C16/44 J

Fターム (38件)：

4K030AA04 , 4K030AA18 , 4K030BA29 , 4K030BA37 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030BA48 , 4K030BB02 , 4K030BB03 , 4K030BB05 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F004AA15 , 5F004BD04 , 5F004BD05 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DB01 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F045AA03 , 5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AB06 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045BB15 , 5F045DP03 , 5F045EB06

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-181734
特開平4-181734
薄膜形成装置内の付着物を除去する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-217315 出願人：セントラル硝子株式会社

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