半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：福岡昌浩 , 阿仁屋節雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-151950
公開番号（公開出願番号）：特開2018-022743
出願日： 2016年08月02日
公開日（公表日）： 2018年02月08日
要約：

【課題】基板上に形成するSi膜の膜質を向上させる。【解決手段】処理室内の基板上に第1アモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記処理室内において、第1アモルファスシリコン膜のアモルファス状態が維持される温度下で、塩化水素ガスを用いて、第1アモルファスシリコン膜の一部をエッチングする工程と、を有する。さらに、前記処理室内において、一部がエッチングされた前記第1アモルファスシリコン膜の上に、第2アモルファスシリコン膜を形成する工程を、さらに有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

処理室内の基板上に第1アモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記処理室内において、前記第1アモルファスシリコン膜のアモルファス状態が維持される温度下で、塩化水素ガスを用いて、前記第1アモルファスシリコン膜の一部をエッチングする工程と、を有する半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , H01L 21/302 , C23C 16/24 , C23C 16/56 , C23C 16/455

FI (5件)：

H01L21/205 , H01L21/302 201A , C23C16/24 , C23C16/56 , C23C16/455

Fターム (52件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA08 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030KA04 , 4K030LA15 , 5F004BB19 , 5F004BD04 , 5F004DA29 , 5F004DB01 , 5F045AA06 , 5F045AB02 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC13 , 5F045AC14 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AC19 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045AF08 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF09 , 5F045EK06 , 5F045HA02 , 5F045HA03 , 5F045HA13

引用特許：

審査官引用 (3件)

シリコン膜の形成方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-247275 出願人：株式会社東芝
シリコン膜の形成方法およびその形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-006042 出願人：東京エレクトロン株式会社
チャンネルに対して設計されたひずみを与えるストレッサー
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-237865 出願人：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド

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