特許

J-GLOBAL ID：201803007292466030

高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法

発明者： 橋上 洋 ,  渡部 武紀 ,  大塚 寛之 ,  三田 怜
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (2件)： 好宮 幹夫 ,  小林 俊弘
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016004824
公開番号（公開出願番号）：WO2018-083722
出願日： 2016年11月07日
公開日（公表日）： 2018年05月11日
要約：

本発明は、結晶シリコン基板の第1主表面に、p型の導電型を有するp型領域と、n型の導電型を有しn型の導電型を付与する添加不純物の基板深さ方向における最大濃度が5×1018atoms/cm3以上であるn型領域とが配置され、p型領域とn型領域を覆うように第1パッシベーション膜が配置され、第1主表面の反対側の表面である第2主表面に、第2主表面を覆うように第2パッシベーション膜が配置された裏面電極型太陽電池であって、第1パッシベーション膜と第2パッシベーション膜が酸化アルミニウムを含む化合物からなる太陽電池である。これにより、安価かつ光電変換効率が高い太陽電池が提供される。

請求項（抜粋）：

結晶シリコン基板の第1主表面に、p型の導電型を有するp型領域と、n型の導電型を有し該n型の導電型を付与する添加不純物の基板深さ方向における最大濃度が5×1018atoms/cm3以上であるn型領域とが配置され、前記p型領域と前記n型領域を覆うように第1パッシベーション膜が配置され、前記第1主表面の反対側の表面である第2主表面に、該第2主表面を覆うように第2パッシベーション膜が配置された裏面電極型太陽電池であって、 前記第1パッシベーション膜と前記第2パッシベーション膜が酸化アルミニウムを含む化合物からなるものであることを特徴とする太陽電池。

IPC (3件)：

H01L 31/021 ,  H01L 31/068 ,  H01L 31/056

FI (3件)：

H01L31/04 240 ,  H01L31/06 300 ,  H01L31/04 624

Fターム (14件)：

5F151AA02 ,  5F151AA16 ,  5F151CB13 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151CB27 ,  5F151DA03 ,  5F151DA10 ,  5F151FA06 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03 ,  5F151HA20