特許
J-GLOBAL ID：201803007309184556
表面加工方法、構造体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人かいせい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-156702
公開番号（公開出願番号）：特開2018-023990
出願日： 2016年08月09日
公開日（公表日）： 2018年02月15日
要約：
【課題】ブリスタリングを利用して加工対象物の表面を効率的に加工することができる表面加工方法、及び構造体の製造方法を提供する。【解決手段】まず、Siウェハ200に対してイオン注入を行うことにより、Siウェハ200にイオン注入層230を形成する。続いて、Siウェハ200の内部にレーザ光の焦点140を合わせてレーザ光を照射して、Siウェハ200のうちレーザ光の照射部分を局所的に加熱する。これにより、Siウェハ200にブリスタリング250を発生させることにより、Siウェハ200の表面210に構造体260として、表面210の一部が隆起した隆起構造を形成する。この方法によると、Siウェハ200の内部を局所的に急速かつ容易に加熱することができるので、ブリスタリング250を利用してSiウェハ200の表面210を効率的に加工することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
加工対象物(200)の表面(210)に微細な構造体(260)を形成する表面加工方法であって、
前記加工対象物(200)に対してイオン注入を行うことにより、前記加工対象物(200)にイオン注入層(230)を形成するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程の後、前記加工対象物(200)にレーザ光を照射して、前記加工対象物(200)のうち前記レーザ光の照射部分を局所的に加熱して前記加工対象物(200)にブリスタリング(250)を発生させることにより、前記加工対象物(200)の前記表面(210)に前記構造体(260)として、前記表面(210)の一部が隆起した隆起構造を形成するレーザ光照射工程と、
を含んでいることを特徴とする表面加工方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
4E168AE04
, 4E168CB03
, 4E168CB07
, 4E168DA02
, 4E168DA32
, 4E168DA42
, 4E168JA12
, 4E168JA13
, 4E168JA28
