特許

J-GLOBAL ID：201803007504897621

プラズマ溶射装置及び溶射制御方法

発明者： 小林 義之 ,  檜森 慎司 ,  古谷 直一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-220056
公開番号（公開出願番号）：特開2018-078054
出願日： 2016年11月10日
公開日（公表日）： 2018年05月17日
要約：

【課題】溶射の指向性を制御することを目的とする。【解決手段】供給部にて溶射材料の粉末をプラズマ生成ガスにより運び、前記供給部の先端部の開口から噴射する供給部と、噴射された前記プラズマ生成ガスを用いて前記供給部と軸芯が共通するプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマの生成空間に磁場を発生する磁場発生部と、前記磁場発生部を制御し、前記生成するプラズマの偏向を制御する制御部と、を有するプラズマ溶射装置が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

供給部にて溶射材料の粉末をプラズマ生成ガスにより運び、前記供給部の先端部の開口から噴射する供給部と、 噴射された前記プラズマ生成ガスを用いて前記供給部と軸芯が共通するプラズマを生成するプラズマ生成部と、 前記プラズマの生成空間に磁場を発生する磁場発生部と、 前記磁場発生部を制御し、前記生成するプラズマの偏向を制御する制御部と、 を有するプラズマ溶射装置。

IPC (1件)：

H05H 1/42

FI (1件)：

H05H1/42

Fターム (15件)：

2G084AA04 ,  2G084BB11 ,  2G084BB29 ,  2G084BB35 ,  2G084BB36 ,  2G084BB37 ,  2G084CC02 ,  2G084DD17 ,  2G084FF02 ,  2G084FF12 ,  2G084FF33 ,  2G084GG02 ,  2G084GG06 ,  2G084GG12 ,  2G084GG14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• インダクシヨンプラズマ溶射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-232193   出願人：株式会社三社電機製作所
• インダクションプラズマ溶射方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-208599   出願人：株式会社三社電機製作所
• 特開昭51-043371
  
• 特開昭63-162850