特許
J-GLOBAL ID：201803007653270534
光素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 茂樹
, 小池 勇三
, 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-131454
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006571
出願日： 2016年07月01日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：
【課題】絶縁体からなる基部の上に形成した半導体薄膜による光素子における消費エネルギーの増大が抑制できるようにする。【解決手段】第1半導体層102の活性部105の下部より第1方向に延在する第1電流注入領域に形成された第1導電型の第1不純物導入領域106と、第3半導体層104の活性部105の上部より第2方向に延在する第2電流注入領域に形成された第2導電型の第2不純物導入領域107とを備える。ここで、第1電流注入領域(第1不純物導入領域106)と第2電流注入領域(第2不純物導入領域107)とは、活性部105以外の領域の基部層101の平面上で重なることなく配置されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁体からなる基部層の上に形成されたi型のIII-V族化合物半導体からなる第1半導体層と、
前記第1半導体層の上に形成されたi型のIII-V族化合物半導体からなる第2半導体層と、
前記第2半導体層の上に形成されたi型のIII-V族化合物半導体からなる第3半導体層と、
前記第2半導体層に埋め込まれた多重量子井戸構造の活性部と、
前記第1半導体層の前記活性部の下部より第1方向に延在する第1電流注入領域に形成された第1導電型の第1不純物導入領域と、
前記第3半導体層の前記活性部の上部より第2方向に延在する第2電流注入領域に形成された第2導電型の第2不純物導入領域と
を備え、
前記第1電流注入領域と前記第2電流注入領域とは、前記活性部以外の領域の前記基部層の上で重なることなく配置されていることを特徴とする光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
5F045AA04
, 5F045AA05
, 5F045AB09
, 5F045AB12
, 5F045AB18
, 5F045AF03
, 5F045BB16
, 5F045CA12
, 5F045DA52
, 5F173AB13
, 5F173AB90
, 5F173AF12
, 5F173AF72
, 5F173AH14
, 5F173AP05
, 5F173AP09
, 5F173AP33
, 5F173AR61
