加工場所へのプロセスガスの供給源を含む粒子ビームシステム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：杉村憲司 , 下地健一 , 坪内伸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-010160
公開番号（公開出願番号）：特開2013-167018
特許番号：特許第6231280号
出願日： 2013年01月23日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】プロセスガスを粒子ビームシステムの加工場所に供給するシステムであって、ガスリザーバと、該ガスリザーバに接続した第1端部を有するガス導管と、前記加工場所の近くに位置付けた第1端部を有するパイプと、前記ガス導管の第2端部と前記パイプの第2端部との間に設けた弁であり、前記ガスリザーバから前記ガス導管及び前記パイプを介して前記加工場所へのガス流を選択的に許可及び阻止するよう構成した弁と、該弁を開閉し、プロセスガスを前記加工場所に供給しない第1動作モードからプロセスガスを前記加工場所に供給する第2動作モードへ前記システムを切り替え、且つ前記第2動作モードの開始時に前記弁を複数周期で交互に開閉するよう構成したコントローラであり、各周期は、前記弁が開く第1持続時間と、該第1持続時間の直後の前記弁が閉じる第2持続時間とを含み、少なくとも1対の連続周期で、第1周期における前記第1持続時間と前記第2持続時間との比が、対のうちの前記第1周期の後の第2周期における前記第1持続時間と前記第2持続時間との比よりも小さいという関係を満たすコントローラとを備えたシステム。

IPC (3件)：

C23C 16/455 ( 200 6.01) , H01J 37/317 ( 200 6.01) , H01J 37/305 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C23C 16/455 , H01J 37/317 D , H01J 37/305 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

多層薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-094688 出願人：松下電器産業株式会社
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-283556 出願人：昭和電工株式会社
気相堆積方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-324271 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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