特許

J-GLOBAL ID：201803007821501440

半導体素子のアレイを処理するための研磨ストップ層

発明者： ムスタファ マイケル プナルバシュ ,  ヤコフ アンソニー ヘルナンデツ ,  アリンドム ダッタ ,  マルシン ジャン ガジェック ,  パルシュラム バルクリシュナ ザンティ
出願人/特許権者： スピン トランスファー テクノロジーズ インク
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-504732
公開番号（公開出願番号）：特表2018-527747
出願日： 2016年04月14日
公開日（公表日）： 2018年09月20日
要約：

半導体製造において用いることができ、高研磨速度および低研磨速度を有する材料を使用して、ウェハ全体にわたって一貫した、半導体素子に損傷を与える前に研磨を停止することを可能にする正確な研磨終点の決定に役立つ実施形態が記載される。半導体素子の間の低研磨速度材料の高さが研磨終点として用いられる。低研磨速度材料は研磨プロセスを遅くさせるため、終点を決定し、半導体素子への損傷を回避することが容易である。追加のあるいは代わりのエッチング終点は、露出時に非常に明確な分光信号を与え、それによりエッチングプロセスを停止することを可能にする材料の薄い層とすることができる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

ウェハ上に複数の磁気トンネル接合(MTJ)ピラーを作製する工程であって、前記複数のMTJピラーのそれぞれは上面および側面を有し、前記上面は前記ウェハからMTJピラー高さのところに延在する、工程と、 前記半導体ウェハ上に第一の層を堆積する工程であって、前記第一の層は、前記複数のMTJピラーのそれぞれの上面および側面を覆うように高化学機械研磨(CMP)速度材料からなり、前記第一の層は、前記複数のMTJピラーのそれぞれの上面の上に第一層バンプ部を形成し、前記複数のMTJピラーのそれぞれの側面の上に第一層側面部を形成し、前記複数のMTJピラーの間に複数の第一層谷部を形成する、工程と、 前記第一の層の上に第二の層を堆積する工程であって、前記第二の層は、第二層バンプ部が前記第一層バンプ部を覆い、第二層側部が前記第一層側部を覆い、複数の第二層谷部が前記複数の第一層谷部を覆い、それにより複数のMTJピラーバンプが形成されるように低CMP速度材料からなり、前記複数のMTJピラーバンプのそれぞれは、前記複数のMTJピラーのそれぞれの上面に対応し、前記第二の層は、前記複数の第二層谷部の上面がCMPストップ高さに位置するように選択された厚さを有する、工程と、 化学機械研磨機で前記複数のMTJピラーバンプを化学機械研磨する工程と、 前記化学機械研磨機が前記第二層谷部の上面に到達したことを検出する工程と、 前記研磨機が前記複数の第二層谷部の上面に到達すると、前記複数のMTJピラーのそれぞれの側面が前記第一の層および前記第二の層によって覆われたまま残存するように前記化学機械研磨工程を停止する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 43/12 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/304

FI (4件)：

H01L43/12 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/105 447 ,  H01L21/304 622X

Fターム (28件)：

4M119AA11 ,  4M119AA17 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119JJ04 ,  4M119JJ11 ,  4M119JJ13 ,  4M119JJ15 ,  5F057AA03 ,  5F057AA17 ,  5F057AA41 ,  5F057BA15 ,  5F057BA26 ,  5F057BB16 ,  5F057BB19 ,  5F057BB37 ,  5F057BC02 ,  5F057CA12 ,  5F057DA03 ,  5F092AA11 ,  5F092AA12 ,  5F092AA15 ,  5F092AB06 ,  5F092AC11 ,  5F092BB33 ,  5F092BB55 ,  5F092CA09 ,  5F092CA20