特許

J-GLOBAL ID：201803008064193208

受光素子、受光素子の製造方法、撮像素子および電子機器

発明者： 三成 英樹 ,  丸山 俊介
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016083857
公開番号（公開出願番号）：WO2017-126204
出願日： 2016年11月15日
公開日（公表日）： 2017年07月27日
要約：

第1の化合物半導体を含むと共に、赤外領域の波長を吸収して電荷を発生する光電変換層と、第2の化合物半導体を含むと共に、前記光電変換層上に互いに間隙を隔てて設けられた複数のコンタクト層と、前記光電変換層の表面のうちの前記間隙に対応する部分と各コンタクト層の側面とを覆って形成されると共に、IV族半導体を含む被覆層とを備えた受光素子。

請求項（抜粋）：

第1の化合物半導体を含むと共に、赤外領域の波長を吸収して電荷を発生する光電変換層と、 第2の化合物半導体を含むと共に、前記光電変換層上に互いに間隙を隔てて設けられた複数のコンタクト層と、 前記光電変換層の表面のうちの前記間隙に対応する部分と各コンタクト層の側面とを覆って形成されると共に、IV族半導体を含む被覆層と を備えた 受光素子。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/144

FI (3件)：

H01L31/10 A ,  H01L27/146 A ,  H01L27/144 K

Fターム (43件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118BA19 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118CB13 ,  4M118FA06 ,  4M118GA02 ,  4M118GA10 ,  4M118GC07 ,  4M118GD03 ,  4M118GD04 ,  4M118HA22 ,  4M118HA25 ,  4M118HA31 ,  5F849AA03 ,  5F849AA04 ,  5F849AB07 ,  5F849BA05 ,  5F849BB03 ,  5F849CB01 ,  5F849CB05 ,  5F849CB06 ,  5F849CB07 ,  5F849CB09 ,  5F849CB11 ,  5F849CB14 ,  5F849DA28 ,  5F849EA05 ,  5F849FA04 ,  5F849FA05 ,  5F849GA06 ,  5F849HA12 ,  5F849HA13 ,  5F849HA20 ,  5F849KA20 ,  5F849LA01 ,  5F849XB03 ,  5F849XB18 ,  5F849XB37 ,  5F849XB40