特許

J-GLOBAL ID：201803008182603259

半導体センサ装置およびその製造方法

発明者： 金野 雄志 ,  菊地 広 ,  宮嶋 健太郎 ,  出川 宗里
出願人/特許権者： 日立オートモティブシステムズ株式会社
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016072714
公開番号（公開出願番号）：WO2017-056698
出願日： 2016年08月03日
公開日（公表日）： 2017年04月06日
要約：

高性能な半導体センサ装置およびその製造方法を提供すること センサチップと、前記センサチップに形成された第一の薄膜と、を有し、前記センサチップが、前記第一の薄膜を介して多結晶材の台座に形成された第二の薄膜と機械的に接続されている半導体センサ装置。

請求項（抜粋）：

センサチップと、 前記センサチップに形成された第一の薄膜と、を有し、 前記センサチップが、前記第一の薄膜を介して多結晶材の台座に形成された第二の薄膜と機械的に接続されていることを特徴とする半導体センサ装置。

IPC (2件)：

G01L 9/00 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

G01L9/00 301G ,  H01L29/84 A ,  H01L29/84 B

Fターム (19件)：

2F055AA39 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD01 ,  2F055EE40 ,  2F055FF01 ,  2F055FF11 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  4M112AA01 ,  4M112BA00 ,  4M112CA00 ,  4M112DA05 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112FA01 ,  4M112GA01