特許

J-GLOBAL ID：201803008323541457

半導体基板配列、および半導体基板配列の形成方法

発明者： イルジーグラー, ペーター ,  コンラート, イェンス ペーター ,  シュルツェ, ハンス-ヨアヒム
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ アーゲー
代理人 (1件)： 園田・小林特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-026606
公開番号（公開出願番号）：特開2018-101799
出願日： 2018年02月19日
公開日（公表日）： 2018年06月28日
要約：

【課題】 半導体基板配列、および半導体基板配列の形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板配列は、キャリアウェハと、このキャリアウェハに固定され、キャリアウェハ上に横方向に分布される複数の半導体基板片と、を含む。複数の半導体基板片の半導体基板片は六角形形状を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板配列(100)であって、 キャリアウェハ(110)と、 前記キャリアウェハ(110)に固定される複数の半導体基板片(120)であって、前記複数の半導体基板片(120)の前記半導体基板片(120)は六角形形状を有する、複数の半導体基板片(120)と、 を備える、半導体基板配列(100)。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L21/20 ,  H01L21/02 B ,  H01L21/205

Fターム (18件)：

5F045AB06 ,  5F045AB14 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF11 ,  5F045EB15 ,  5F152LN02 ,  5F152LN28 ,  5F152LN29 ,  5F152LN35 ,  5F152LP02 ,  5F152NN05 ,  5F152NN07 ,  5F152NN09 ,  5F152NN13 ,  5F152NN19 ,  5F152NQ02