特許

J-GLOBAL ID：201803008567338254

炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 伊東 洋典 ,  西口 太郎 ,  平塚 健二
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016087209
公開番号（公開出願番号）：WO2017-138247
出願日： 2016年12月14日
公開日（公表日）： 2017年08月17日
要約：

本開示に係る炭化珪素エピタキシャル基板は、第1の主面を有する炭化珪素単結晶基板と、第1の濃度のキャリアを有し、炭化珪素単結晶基板上の第1の炭化珪素層と、第1の濃度よりも小さい第2の濃度のキャリアを有し、かつ、第1の主面の反対側の第2の主面を含む、第1の炭化珪素層上の第2の炭化珪素層とを備える。第1の炭化珪素層および第2の炭化珪素層の積層方向に沿った、キャリアの濃度プロファイルにおいて、第1の濃度と第2の濃度との間でキャリアの濃度が変化する遷移領域の幅が1μm以下である。第2の主面の中心から60mm以内の中央領域における第2の濃度の均一性と定義される、第2の濃度の平均値に対する第2の濃度の標準偏差の比率は、5%以下である。中央領域の算術平均粗さは、0.5nm以下である。

請求項（抜粋）：

炭化珪素エピタキシャル基板であって、 第1の主面を有する炭化珪素単結晶基板と、 第1の濃度のキャリアを有する、前記炭化珪素単結晶基板上の第1の炭化珪素層と、 前記第1の濃度よりも小さい第2の濃度のキャリアを有し、かつ、前記第1の主面の反対側の第2の主面を含む、前記第1の炭化珪素層上の第2の炭化珪素層とを備え、 前記第1の炭化珪素層および前記第2の炭化珪素層の積層方向に沿った、前記キャリアの濃度プロファイルにおいて、前記第1の濃度と前記第2の濃度との間で前記キャリアの濃度が変化する遷移領域の幅が1μm以下であり、 前記第2の主面の中心から60mm以内の中央領域における前記第2の濃度の均一性と定義される、前記第2の濃度の平均値に対する前記第2の濃度の標準偏差の比率は、5%以下であり、 前記中央領域の算術平均粗さは、0.5nm以下である、炭化珪素エピタキシャル基板。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L21/20 ,  H01L21/205

Fターム (34件)：

5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB02 ,  5F045BB05 ,  5F045CA01 ,  5F045CA05 ,  5F045DA52 ,  5F045DA59 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ06 ,  5F045EK02 ,  5F152LL03 ,  5F152LM09 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152MM07 ,  5F152NN05 ,  5F152NN27 ,  5F152NQ02