積層体

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊東忠重 , 伊東忠彦
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016069347
公開番号（公開出願番号）：WO2017-029890
出願日： 2016年06月29日
公開日（公表日）： 2017年02月23日
要約：

第一の表面を備える基板、フッ素を含有する凹凸層、および防汚層をこの順に備える積層体において、前記凹凸層は、0.5nm〜50nmの範囲の算術平均表面粗さRaを有し、前記凹凸層におけるフッ素のF1sの結合エネルギーピークは、684eV以上687.5eV以下の範囲であり、前記フッ素のF1sの結合エネルギーピークから算出されるフッ素の原子濃度(atm%)とケイ素のSi2pの結合エネルギーピークから算出されるケイ素の原子濃度(atm%)との比F1s/Si2pは、0.003〜100の範囲であり、前記防汚層におけるフッ素のF1sの結合エネルギーピークは、687.5eV超691eV以下の範囲である。

請求項（抜粋）：

第一の表面を備える基板、フッ素を含有する凹凸層、および防汚層をこの順に備える積層体であって、前記凹凸層は、0.5nm〜50nmの範囲の算術平均表面粗さRaを有し、前記凹凸層におけるフッ素のF1sの結合エネルギーピークは、684eV以上687.5eV以下の範囲であり、前記フッ素のF1sの結合エネルギーピークから算出されるフッ素の原子濃度(atm%)とケイ素のSi2pの結合エネルギーピークから算出されるケイ素の原子濃度(atm%)との比F1s/Si2pは、0.003〜100の範囲であり、前記防汚層におけるフッ素のF1sの結合エネルギーピークは、687.5eV超691eV以下の範囲であり、以下の(1)式

IPC (8件)：

C03C 17/32 , C03C 15/00 , C03C 17/23 , C03C 17/22 , C03C 17/06 , B32B 17/06 , G02B 1/18 , G02B 1/115

FI (9件)：

C03C17/32 A , C03C15/00 A , C03C15/00 Z , C03C17/23 , C03C17/22 , C03C17/06 Z , B32B17/06 , G02B1/18 , G02B1/115

Fターム (51件)：

2K009AA02 , 2K009CC02 , 2K009CC26 , 2K009CC42 , 2K009EE05 , 4F100AA05B , 4F100AA17D , 4F100AA17E , 4F100AA20D , 4F100AA20E , 4F100AD03D , 4F100AD03E , 4F100AD04D , 4F100AD04E , 4F100AG00A , 4F100AT00A , 4F100BA03 , 4F100BA04 , 4F100BA05 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100BA42D , 4F100BA42E , 4F100DD07B , 4F100EH66C , 4F100EJ64B , 4F100GB41 , 4F100JL06 , 4F100JL06C , 4F100JL09 , 4F100JN18D , 4F100JN18E , 4F100YY00B , 4F100YY00D , 4G059AA01 , 4G059AB11 , 4G059AC04 , 4G059AC22 , 4G059BB01 , 4G059BB04 , 4G059BB14 , 4G059DA00 , 4G059DB01 , 4G059EA01 , 4G059EA05 , 4G059EA12 , 4G059EB01 , 4G059FA11 , 4G059FB01 , 4G059GA01 , 4G059GA02

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