特許
J-GLOBAL ID：201803008744458494
複合素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-224849
公開番号（公開出願番号）：特開2018-081735
出願日： 2016年11月18日
公開日（公表日）： 2018年05月24日
要約：
【課題】情報の記憶のみならず伝搬機能を有し、かつ、記録密度を向上するための書き込みおよび読み取りの分解能の向上を図りうる新種の素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板17の上にイオン15を吸着させる。ディップコーティング法によりイオン15を介して基板17の上に、ポリイオンがイオンと極性が異なるような高分子電解質を化学的に析出させることにより高分子電解質層13を形成する。ディップコーティング法により高分子電解質層13の上に、導電性高分子化合物を化学的に析出させることにより導電性高分子化合物層11を形成する。導電性高分子化合物層11に磁性粒子を電気化学的にドープする。そして、導電性高分子化合物の鎖状構造の延在方向について、導電性高分子化合物層11の各端面に圧電性強誘電体121、122を接合する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板の上にイオンを吸着させる工程と、
ディップコーティング法により前記イオンを介して前記基板の上に、ポリイオンが前記イオンと極性が異なるような高分子電解質を化学的に析出させることにより高分子電解質層を形成する工程と、
ディップコーティング法により前記高分子電解質層の上に、導電性高分子化合物を化学的に析出させることにより導電性高分子化合物層を形成する工程と、
前記導電性高分子化合物層に磁性粒子を電気化学的にドープする工程と、
前記導電性高分子化合物の鎖状構造の延在方向について、前記導電性高分子化合物層の各端面に圧電性強誘電体を接合する工程と、を含んでいることを特徴とする複合素子の製造方法。
IPC (4件)：
G11B 9/02
, H01L 41/113
, H01L 41/47
, H01L 41/37
G11B9/02
, H01L41/113
, H01L41/47
, H01L41/37
