特許
J-GLOBAL ID：201803008774175837
表面増強ラマン散乱素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 柴山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-052704
公開番号（公開出願番号）：特開2018-091872
出願日： 2018年03月20日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
要約：
【課題】設計の自由度の低下を抑制可能であると共に、ナノギャップを安定して形成可能な表面増強ラマン散乱素子、及び、表面増強ラマン散乱素子を製造する方法を提供する。【解決手段】 SERS素子2は、表面21aを有する基板21と、表面21a上に形成され、複数のピラー27を有する微細構造部24と、表面21a及び微細構造部24を連続的に覆うように表面21a及び微細構造部24上に形成された第1の導電体層31と、表面増強ラマン散乱のための複数のギャップG1,G2を形成するように第1の導電体層31上に形成された第2の導電体層32と、を備え、第1の導電体層31及び第2の導電体層32は、互いに同一の材料から構成されている。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
主面を有する基板と、
前記主面上に形成され、複数の凸部を有する微細構造部と、
前記主面及び前記微細構造部を連続的に覆うように前記主面及び前記微細構造部上に形成された第1の導電体層と、
表面増強ラマン散乱のための複数のギャップを形成するように前記第1の導電体層上に形成された第2の導電体層と、を備え、
前記第2の導電体層の一部は凝集状態となっており、前記微細構造部の形状に依らない前記ギャップを形成している、
表面増強ラマン散乱素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
2G043AA01
, 2G043BA14
, 2G043CA06
, 2G043CA07
, 2G043EA03
, 2G043KA01
, 2G043KA02
, 2G059AA01
, 2G059BB09
, 2G059BB10
, 2G059CC13
, 2G059EE03
, 2G059HH01
, 2G059HH02
