特許
J-GLOBAL ID：201803008800594622
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-535257
特許番号：特許第6236456号
出願日： 2013年09月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成されたn型の半導体層と、
前記半導体層の上面側に形成された接合終端部と、
を備える半導体装置であって、
前記接合終端部は、
第1不純物濃度を有するp型の第1半導体領域と、
前記第1不純物濃度よりも低い第2不純物濃度を有するp型の第2半導体領域と、
前記第2不純物濃度よりも低い第3不純物濃度を有するp型の第3半導体領域と、
を備え、
第1領域において、前記第2半導体領域が前記第1半導体領域に挟まれ、
前記第1領域よりも前記半導体基板の端部側に設けられた第2領域において、前記第3半導体領域が前記第1半導体領域に挟まれ、
前記第2領域よりも前記半導体基板の端部側に設けられた第3領域において、前記第3半導体領域のみ存在し、
前記半導体層は、炭化ケイ素であり、前記第3領域の幅は20μmである、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/861 ( 200 6.01)
, H01L 29/868 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
H01L 29/91 D
, H01L 29/06 301 G
, H01L 29/06 301 V
, H01L 29/86 301 D
, H01L 29/86 301 E
, H01L 29/86 301 F
, H01L 29/86 301 P
, H01L 29/91 B
, H01L 29/91 F
, H01L 29/91 K
