特許

J-GLOBAL ID：201803008853913690

半導体基板の製造方法

発明者： 川名 功泰
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 渡辺 和昭 ,  西田 圭介 ,  仲井 智至
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-215978
公開番号（公開出願番号）：特開2018-070435
出願日： 2016年11月04日
公開日（公表日）： 2018年05月10日
要約：

【課題】高品質な炭化珪素膜を有する半導体基板、および、高品質な炭化珪素膜を有する半導体基板を効率よく製造可能な半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体基板1は、シリコン基板11と、シリコン基板11の上面に積層された下地層12と、下地層12の上面に、下地層12中のピンホール12aを閉塞するために形成された第1エピタキシャル成長層13と、第1エピタキシャル成長層の上面に、炭化珪素膜の結晶品質を改善する目的で形成された第2エピタキシャル成長層14と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板の上面に炭素を含むガスを供給し、前記シリコン基板の表面に炭化処理を施して炭化珪素からなる下地層を形成する工程と、前記下地層の上面に炭素を含むガスと珪素を含むガスとを所定の割合にて混合してなる第1混合ガスを供給し、立方晶炭化珪素からなる第1エピタキシャル成長層を形成する工程と、前記第1エピタキシャル成長層の上面に炭素を含むガスと珪素を含むガスとを所定の割合にて混合してなる第2混合ガスを供給し、立方晶炭化珪素からなる第2エピタキシャル成長層を形成する工程と、を備え、 前記第1エピタキシャル成長層を形成する工程は、圧力が10-4Pa以上10-1Pa以下、温度が800°C以上1400°C以下の雰囲気下で行われ、且つ第1混合ガスの炭素原子数X1と珪素原子数Yとの比(X1/Y)が0.5以上であり、且つ、炭素を含むガス1分子中の炭素原子数X2と、炭素を含むガスの供給量Zsccmとの積(X2×Z)が10sccm以上である環境下で形成することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/36 ,  C23C 16/42 ,  H01L 29/161 ,  H01L 21/20

FI (4件)：

C30B29/36 A ,  C23C16/42 ,  H01L29/161 ,  H01L21/20

Fターム (42件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB07 ,  4G077DB09 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TK02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  5F152LL02 ,  5F152LM09 ,  5F152LN03 ,  5F152MM02 ,  5F152MM03 ,  5F152MM04 ,  5F152MM07 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN13 ,  5F152NN16 ,  5F152NN22 ,  5F152NN27 ,  5F152NN29 ,  5F152NP02 ,  5F152NQ02