特許

J-GLOBAL ID：201803008982430344

半導体装置の製造方法

発明者： 山岸 正憲 ,  佐藤 明徳
出願人/特許権者： リンテック株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人樹之下知的財産事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016079729
公開番号（公開出願番号）：WO2017-077809
出願日： 2016年10月06日
公開日（公表日）： 2017年05月11日
要約：

第1支持シート(11)およびエネルギー線硬化性樹脂層(12)を備える第1保護膜形成用シート(1)のエネルギー線硬化性樹脂層(12)を、複数のバンプ(22)が形成されているバンプ付ウエハ(2)のバンプ形成面(2A)に、貼り合わせる工程と、エネルギー線硬化性樹脂層(12)にエネルギー線を照射して硬化させて、第1保護膜(12a)を形成する工程と、第1支持シート(11)を剥離する工程と、第1保護膜(12a)を有するバンプ付ウエハ(2)をダイシングする工程と、を備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1支持シートおよびエネルギー線硬化性樹脂層を備える第1保護膜形成用シートの前記エネルギー線硬化性樹脂層を、複数のバンプが形成されているバンプ付ウエハのバンプ形成面に、貼り合わせる工程と、 前記エネルギー線硬化性樹脂層にエネルギー線を照射して硬化させて、第1保護膜を形成する工程と、 前記第1支持シートを剥離する工程と、 前記第1保護膜を有する前記バンプ付ウエハをダイシングする工程と、を備える ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/00

FI (4件)：

H01L21/78 Q ,  H01L21/78 M ,  H01L21/60 311Q ,  H01L23/00 C

Fターム (46件)：

5F044KK01 ,  5F044KK02 ,  5F044KK05 ,  5F044LL11 ,  5F057AA05 ,  5F057AA31 ,  5F057BA26 ,  5F057BB03 ,  5F057CA14 ,  5F057CA36 ,  5F057CA38 ,  5F057DA11 ,  5F057EC16 ,  5F057EC17 ,  5F057EC19 ,  5F057FA28 ,  5F057FA30 ,  5F063AA05 ,  5F063AA18 ,  5F063BA07 ,  5F063BA20 ,  5F063CA01 ,  5F063CA04 ,  5F063CA06 ,  5F063CB07 ,  5F063CB28 ,  5F063CC33 ,  5F063DD25 ,  5F063DD59 ,  5F063DD85 ,  5F063DF12 ,  5F063DG01 ,  5F063DG04 ,  5F063EE02 ,  5F063EE04 ,  5F063EE05 ,  5F063EE08 ,  5F063EE09 ,  5F063EE27 ,  5F063EE29 ,  5F063EE30 ,  5F063EE42 ,  5F063EE43 ,  5F063EE44 ,  5F063EE58 ,  5F063EE85