特許

J-GLOBAL ID：201803009075603757

真空チャネルトランジスタおよびその製造方法

発明者： 横川 俊哉 ,  真田 篤志
出願人/特許権者： 国立大学法人山口大学
代理人 (3件)： 富崎 元成 ,  円城寺 貞夫 ,  町田 光信
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016064390
公開番号（公開出願番号）：WO2016-182080
出願日： 2016年05月13日
公開日（公表日）： 2016年11月17日
要約：

窒化ガリウム-窒化アルミニウム混晶半導体を使用した真空チャネルトランジスタにおいて、電子放出の効率を向上させ、電子放出のためのしきい電圧を低下させた真空チャネルトランジスタを提供する。 ゲート電極をなす導体基板11と、前記導体基板の上に形成された絶縁体からなる絶縁層12と、前記絶縁層の上に形成されたソース電極131と、前記絶縁層の上に形成され、前記ソース電極と対向するように設けられたドレイン電極132とを有する。そして、前記ソース電極は、窒化ガリウム-窒化アルミニウム混晶半導体のウルツ鉱型構造の結晶からなるものであり、電子の主要な放出方向と結晶構造のc軸方向とのなす角度が30度以下となるように配置されたものである。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム-窒化アルミニウム混晶半導体のウルツ鉱型構造の結晶からなる電極(13)を有し、 前記電極(131)は、電子の主要な放出方向と結晶構造のc軸方向とのなす角度が30度以下となるように配置されたものである半導体素子。

IPC (8件)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/786 ,  H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 21/10 ,  H01J 9/14

FI (11件)：

H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/66 E ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 622 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 B ,  H01J21/10 ,  H01J9/14 A

Fターム (40件)：

4M104BB01 ,  4M104BB36 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  5C227AA06 ,  5C227AA08 ,  5C227AB08 ,  5C227AC13 ,  5C227AC16 ,  5C227GG03 ,  5C227GG18 ,  5C227GG20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA09 ,  5F110BB13 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG28 ,  5F110GG60 ,  5F110HK11 ,  5F110HK13 ,  5F110HK17 ,  5F110HK18 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110HK50 ,  5F110HM04 ,  5F110HM05 ,  5F110HM17 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ30