特許
J-GLOBAL ID：201803009081022413
光電変換モジュールの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
青木 篤
, 鶴田 準一
, 南山 知広
, 宮本 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-130867
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006543
出願日： 2016年06月30日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：
【課題】製造が容易であり、発電出力が向上する光電変換モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】光電変換モジュールの製造方法は、第1電極層上に形成された光電変換素層を分割する第2分割溝を第1分割溝の第1の側に形成する工程4と、第2分割溝に露出している第1電極層上及び光電変換層上にバッファ層を形成する工程5であって、酸素原子及び亜鉛原子を含み酸素原子数の亜鉛原子数に対する第1比を有する雰囲気に第2分割溝に露出している第1電極層及び光電変換層を曝す工程6と、酸素原子及び亜鉛原子を含み第1比よりも大きい酸素原子数の亜鉛原子数に対する第2比を有する雰囲気に第2分割溝及び光電変換層を曝す工程7とを有する工程5と、バッファ層上に第2電極層を形成する工程8と、第2電極層とバッファ層と光電変換層との積層体を分割する第3分割溝を、第2分割溝の第1の側に形成する工程9とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に第1電極層を形成する第1工程と、
前記第1電極層を分割する第1分割溝を形成する第2工程と、
前記第1電極層上に、化合物半導体を用いて光電変換層を形成する第3工程と、
前記光電変換素層を分割する第2分割溝を、前記第1分割溝の第1の側に形成する第4工程と、
前記第2分割溝に露出している前記第1電極層上、及び前記光電変換層上にバッファ層を形成する第5工程であって、
酸素原子及び亜鉛原子を含み、酸素原子数の亜鉛原子数に対する第1比を有する雰囲気に、前記第2分割溝に露出している前記第1電極層及び前記光電変換層を曝す第6工程と、
酸素原子及び亜鉛原子を含み、前記第1比よりも大きい、酸素原子数の亜鉛原子数に対する第2比を有する雰囲気に、前記第2分割溝及び前記光電変換層を曝す第7工程と、を有する第5工程と、
前記バッファ層上に第2電極層を形成する第8工程と、
前記第2電極層と前記バッファ層と前記光電変換層との積層体を分割する第3分割溝を、前記第2分割溝の前記第1の側に形成する第9工程と、
を備える光電変換モジュールの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/046
, H01L 31/074
H01L31/04 532B
, H01L31/06 460
5F151AA09
, 5F151AA10
, 5F151BA11
, 5F151CB12
, 5F151CB15
, 5F151CB28
, 5F151CB29
, 5F151DA03
, 5F151DA04
, 5F151DA20
, 5F151EA02
, 5F151EA16
, 5F151FA02
, 5F151FA06
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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