特許

J-GLOBAL ID：201803009141165235

シリコン酸化物の選択的堆積

発明者： デビッド・チャールズ・スミス ,  デニス・エム.・ハウスマン
出願人/特許権者： ラム リサーチ コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-022718
公開番号（公開出願番号）：特開2018-152554
出願日： 2018年02月13日
公開日（公表日）： 2018年09月27日
要約：

【課題】シリコン窒化物表面と比べてシリコン酸化物表面上に選択的にシリコン酸化物を堆積させる方法及び装置を提供する。【解決手段】アンモニア及び/又は窒素プラズマを使用して基板表面を前処理し、熱原子層堆積反応においてアミノシランシリコン前駆体と酸化剤とを交互にパルス式に使用して、露出シリコン窒化物表面上にシリコン酸化物を堆積させることなくシリコン酸化物表面上に選択的にシリコン酸化物を選択的に堆積させることを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

露出シリコン酸化物表面上に選択的にシリコン酸化物を堆積させる方法であって、 前記露出シリコン酸化物表面と、露出シリコン窒化物表面とを有する基板を提供し、前記露出シリコン窒化物表面は、第一級アミン基を含み、 前記基板をアミノシランに暴露して、前記露出シリコン酸化物表面に前記アミノシランを吸着させ、 前記基板を酸化剤に暴露することを含む熱原子層堆積反応を実施し、前記熱原子層堆積反応によって、前記露出シリコン窒化物表面と比べて前記露出シリコン酸化物表面上に選択的にシリコン酸化物を形成させる、 ことを備える方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/04 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/02

FI (5件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/04 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02

Fターム (29件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030JA16 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BE10 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37