特許
J-GLOBAL ID:201803009163401188
フッ化物イオン伝導体
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山下 昭彦
, 岸本 達人
, 山本 典輝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-175984
公開番号(公開出願番号):特開2018-041673
出願日: 2016年09月08日
公開日(公表日): 2018年03月15日
要約:
【課題】本発明は、フッ化物イオン伝導性が良好なフッ化物イオン伝導体を提供することを課題とする。【解決手段】本発明においては、フッ化物イオン電池に用いられるフッ化物イオン伝導体であって、層状ペロブスカイト構造の結晶相を有し、上記結晶相が、K2MgF4結晶相およびRb2MgF4結晶相の少なくとも一種であることを特徴とするフッ化物イオン伝導体を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図8
請求項(抜粋):
フッ化物イオン電池に用いられるフッ化物イオン伝導体であって、
層状ペロブスカイト構造の結晶相を有し、
前記結晶相が、K2MgF4結晶相およびRb2MgF4結晶相の少なくとも一種であることを特徴とするフッ化物イオン伝導体。
IPC (5件):
H01M 10/056
, H01M 4/62
, H01M 4/58
, H01M 6/16
, C01F 5/28
FI (6件):
H01M10/0562
, H01M4/62 Z
, H01M4/58
, H01M10/0568
, H01M6/16 A
, C01F5/28
Fターム (26件):
4G076AA05
, 4G076AB04
, 4G076BA38
, 4G076CA02
, 4G076CA31
, 4G076DA30
, 5H024AA06
, 5H024EE07
, 5H024FF11
, 5H024FF31
, 5H029AJ02
, 5H029AJ07
, 5H029AK04
, 5H029AL04
, 5H029AM03
, 5H029AM12
, 5H029HJ02
, 5H050AA02
, 5H050AA13
, 5H050BA05
, 5H050BA15
, 5H050CA10
, 5H050CB04
, 5H050DA09
, 5H050EA15
, 5H050HA02
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