特許
J-GLOBAL ID：201803009204593500

電子的および機械的な構造を製作する方法

発明者：
シェラー、デイビッド、ダブリュー.

シェラー、デイビッド、ダブリュー. について

, 
カードウェル、ダラ、エル.

カードウェル、ダラ、エル. について


出願人/特許権者：
ヌボトロニクス、インク.

ヌボトロニクス、インク. について


代理人 (1件)： 矢口 太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-520380
特許番号：特許第6335782号
出願日： 2012年07月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 3次元構造を製作する方法であって、 前記3次元構造は、中心導体(69)と、この中心導体(69)と離間してかつ同軸に設けられた外側導体(79)とを有するものであり、 この方法は、 a)3次元印刷を使って金属材料の層(52)が設けられた支持表面上に第1の中央開口部(55)および第1の側方開口部(53)が内部に形成されてなる第1の犠牲材料の第1の層(54a、54b)を積層する工程であって、前記第1の中央開口部(55)は、前記第1の層の中央部において、その厚さに亘って少なくとも一部延長するように設けられ、前記第1の側方開口部(53)は、前記第1の中央開口部(55)から離間した前記第1の層の両側方部に、その厚さに亘って少なくとも一部延長するように設けられるものである、前記第1の犠牲材料の前記第1の層(54a、54b)を積層する工程と、 b)前記第1の中央開口部(55)に非伝導性材料を充填することで前記中心導体(69)を支える支柱を形成する工程と、 c)前記第1の側方開口部(53)を金属または金属化可能な組成物で充填することで前記外側導体(79)の一部を形成する工程と、 d)3次元印刷を使って前記第1の犠牲材料の前記第1の層の上方に第2の側方開口部(66a)および第2の中央開口部(66b)が内部に形成されてなる第2の犠牲材料の第1の層(64a、64b)を積層する工程であって、前記第2の側方開口部(66a)は、前記第1の側方開口部(53)の上方に当該第1の層の厚さに亘って延長するように設けられ、前記第2の中央開口部(66b)の少なくとも一部は、前記支柱の上方に当該第1の層の厚さに亘って延長するように設けられるものである、前記第2の犠牲材料の前記第1の層(64a、64b)を積層する工程と、 e)前記第2の中央開口部(66b)および前記第2の側方開口部(66a)を金属または金属化可能な組成物で充填することで前記支柱上に前記中心導体(69)を形成するとともに、前記外側導体(79)のさらなる一部を形成する工程と、 f)3次元印刷を使って前記第2の犠牲材料の前記第1の層の上方に第3の側方開口部(71a)が内部に形成されてなる前記第2の犠牲材料の第2の層(70a、70b)を積層する工程であって、前記第3の側方開口部(71a)は、前記第2の側方開口部(66a)の上方に当該第2の層の厚さに亘って延長するように設けられるものである、前記第2の犠牲材料の前記第2の層(70a、70b)を積層する工程と、 g)前記第3の側方開口部(71a)および前記第2の犠牲材料の前記第2の層の上部を金属または金属化可能な組成物で充填することで前記工程c)およびe)において形成された前記外側導体(79)の一部とともに前記外側導体(79)を形成する工程と、 h)前記第1および第2の犠牲材料を除去することで前記3次元構造を形成する工程と を有する方法。
IPC (7件)：
B29C 64/10 ( 201 7.01) ,  B33Y 10/00 ( 201 5.01) ,  C23C 18/20 ( 200 6.01) ,  C23C 18/22 ( 200 6.01) ,  C23C 18/30 ( 200 6.01) ,  B81C 1/00 ( 200 6.01) ,  B81B 1/00 ( 200 6.01)
FI (7件)：
B29C 64/10 ,  B33Y 10/00 ,  C23C 18/20 Z ,  C23C 18/22 ,  C23C 18/30 ,  B81C 1/00 ,  B81B 1/00
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM