特許

J-GLOBAL ID：201803009464470517

磁気抵抗素子及び電子デバイス

発明者： 苅屋田 英嗣
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 山本 孝久 ,  吉井 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-165417
公開番号（公開出願番号）：特開2018-032805
出願日： 2016年08月26日
公開日（公表日）： 2018年03月01日
要約：

【課題】下地層を形成しても、書き込み電流値が高くなるといった問題点を回避することができる磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】磁気抵抗素子10は、下部電極31、非磁性材料から成る第1下地層21A、垂直磁気異方性を有する記憶層22、中間層23、磁化固定層24及び上部電極32が積層されて成り、記憶層22は、少なくとも3d遷移金属元素及びホウ素元素を組成として有する磁性材料から成り、下部電極31と第1下地層21Aとの間に、更に、第2下地層21Bを備えており、第2下地層21Bは、記憶層を構成する元素の少なくとも1種類の元素を組成として有する材料から成る。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

下部電極、非磁性材料から成る第1下地層、垂直磁気異方性を有する記憶層、中間層、磁化固定層、及び、上部電極が積層されて成り、 記憶層は、少なくとも3d遷移金属元素及びホウ素元素を組成として有する磁性材料から成り、 下部電極と第1下地層との間に、更に、第2下地層を備えており、 第2下地層は、記憶層を構成する元素の少なくとも1種類の元素を組成として有する材料から成る磁気抵抗素子。

IPC (8件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 29/82 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32

FI (8件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32

Fターム (56件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD07 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF16 ,  4M119FF17 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA06 ,  5D034BA08 ,  5D034BA21 ,  5D034BA30 ,  5D034BB12 ,  5D034CA00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA30 ,  5E049CB01 ,  5E049GC01 ,  5F092AA01 ,  5F092AB03 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB38 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB45 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC18 ,  5F092BC42 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27