特許
J-GLOBAL ID:201803009584067457

撮像素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 家入 健
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-170500
公開番号(公開出願番号):特開2018-037921
出願日: 2016年09月01日
公開日(公表日): 2018年03月08日
要約:
【課題】従来の撮像素子では、消費電力が大きくなる問題があった。【解決手段】半導体装置は、1本の垂直信号線SLに接続されたと複数の画素回路と、垂直信号線SLを介して得られる信号レベルを、入力容量Ciと帰還容量Cfの容量比に応じて決定される増幅率で増幅する反転増幅回路と、を有し、反転増幅回路による第1の画素回路から読み出された撮像信号の増幅が完了した第1のタイミングから反転増幅器による第2の画素回路から読み出されるダークレベル信号の増幅が開始される第2のタイミングまで間の期間に設定された電荷回収期間において、帰還容量を反転増幅器の出力から切り離して垂直信号線SLに接続する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
垂直信号線と、 前記垂直信号線に接続される第1の画素回路及び第2の画素回路と、 前記垂直信号線から定電流の引き抜きを行う画素電流源と、 前記垂直信号線に一端が接続される第1の容量と、 前記第1の容量の他端が反転入力端子に接続され、正転入力端子に第1の基準電圧が供給される増幅器と、 前記増幅器の前記反転入力端子に一端が接続される第2の容量と、 前記第2の容量の他端と前記増幅器の出力端子とを接続する第1のスイッチと、 前記第2の容量の他端と前記垂直信号線との間に接続される第2のスイッチと、 を有する撮像素子。
IPC (3件):
H04N 5/378 ,  H04N 5/374 ,  H01L 27/146
FI (3件):
H04N5/335 780 ,  H04N5/335 740 ,  H01L27/14 A
Fターム (18件):
4M118AA04 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA22 ,  4M118DB09 ,  4M118DD04 ,  4M118DD09 ,  4M118FA06 ,  4M118GD03 ,  5C024AX01 ,  5C024CY42 ,  5C024HX17 ,  5C024HX29 ,  5C024HX35 ,  5C024HX48 ,  5C024HX50 ,  5C024JX41

前のページに戻る