特許
J-GLOBAL ID:201803009584067457
撮像素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
家入 健
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-170500
公開番号(公開出願番号):特開2018-037921
出願日: 2016年09月01日
公開日(公表日): 2018年03月08日
要約:
【課題】従来の撮像素子では、消費電力が大きくなる問題があった。【解決手段】半導体装置は、1本の垂直信号線SLに接続されたと複数の画素回路と、垂直信号線SLを介して得られる信号レベルを、入力容量Ciと帰還容量Cfの容量比に応じて決定される増幅率で増幅する反転増幅回路と、を有し、反転増幅回路による第1の画素回路から読み出された撮像信号の増幅が完了した第1のタイミングから反転増幅器による第2の画素回路から読み出されるダークレベル信号の増幅が開始される第2のタイミングまで間の期間に設定された電荷回収期間において、帰還容量を反転増幅器の出力から切り離して垂直信号線SLに接続する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
垂直信号線と、
前記垂直信号線に接続される第1の画素回路及び第2の画素回路と、
前記垂直信号線から定電流の引き抜きを行う画素電流源と、
前記垂直信号線に一端が接続される第1の容量と、
前記第1の容量の他端が反転入力端子に接続され、正転入力端子に第1の基準電圧が供給される増幅器と、
前記増幅器の前記反転入力端子に一端が接続される第2の容量と、
前記第2の容量の他端と前記増幅器の出力端子とを接続する第1のスイッチと、
前記第2の容量の他端と前記垂直信号線との間に接続される第2のスイッチと、
を有する撮像素子。
IPC (3件):
H04N 5/378
, H04N 5/374
, H01L 27/146
FI (3件):
H04N5/335 780
, H04N5/335 740
, H01L27/14 A
Fターム (18件):
4M118AA04
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA22
, 4M118DB09
, 4M118DD04
, 4M118DD09
, 4M118FA06
, 4M118GD03
, 5C024AX01
, 5C024CY42
, 5C024HX17
, 5C024HX29
, 5C024HX35
, 5C024HX48
, 5C024HX50
, 5C024JX41
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