特許

J-GLOBAL ID：201803009910745835

反射型フォトマスク

発明者： 古溝 透 ,  福上 典仁 ,  米谷 匡司
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
代理人 (2件)： 廣瀬 一 ,  宮坂 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-122458
公開番号（公開出願番号）：特開2017-227702
出願日： 2016年06月21日
公開日（公表日）： 2017年12月28日
要約：

【課題】 本発明は、遮光領域における、アウトオブバンド光の反射率をより低減可能な反射型フォトマスクを提供することを目的とする。【解決手段】 反射型フォトマスクは、基板11上に、波長5nm以上15nm以下の光であるEUV光を含む露光光を反射する多層反射層12及び露光光を吸収する吸収層14がこの順に積層されている。そして、吸収層14は、回路パターン領域10を有しており、吸収層14の回路パターン領域10の外周部には、基板11上に多層反射層12及び吸収層14が存在しない領域であって、EUV光を遮光する遮光領域20が形成されており、遮光領域20の底面は、基板11の表面の少なくとも一部が除去されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に、波長5nm以上15nm以下の光であるEUV光を含む露光光を反射する反射層、及び前記露光光を吸収する吸収層がこの順に積層されており、 前記吸収層は、回路パターン領域を有しており、 前記吸収層の前記回路パターン領域の外周部には、前記基板上に前記反射層及び前記吸収層が存在しない領域であって、EUV光を遮光する遮光領域が形成されており、 前記遮光領域の底面では、前記基板の前記反射層側の面が露出しており、該面の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする反射型フォトマスク。

IPC (1件)：

G03F 1/24

FI (1件)：

G03F1/24

Fターム (4件)：

2H195BA10 ,  2H195BB11 ,  2H195CA07 ,  2H195CA22