特許

J-GLOBAL ID：201803009950850445

エピタキシャル炭化珪素単結晶ウェハの製造方法

発明者： 藍郷 崇 ,  伊藤 渉 ,  藤本 辰雄
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  三橋 真二 ,  高橋 正俊 ,  胡田 尚則 ,  河原 肇 ,  本田 昭雄
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016072421
公開番号（公開出願番号）：WO2017-018533
出願日： 2016年07月29日
公開日（公表日）： 2017年02月02日
要約：

オフ角度の小さな炭化珪素単結晶基板上に、高品質で基底面転位の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有したエピタキシャル炭化珪素単結晶ウェハを製造する方法を提供する。熱CVD法により炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素をエピタキシャル成長させてエピタキシャル炭化珪素単結晶ウェハを製造する方法であって、前記製造方法は、エピタキシャル成長炉内にエッチングガスを流して炭化珪素単結晶基板の表面を算術平均粗さRa値が0.5nm以上3.0nm以下となるようにエッチングした後、エピタキシャル成長を開始して、炭化珪素単結晶基板の表面における基底面転位の95%以上を貫通刃状転位に変換することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

エピタキシャル成長炉内に珪素系材料ガス及び炭素系材料ガスを流して、熱CVD法により炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素をエピタキシャル成長させてエピタキシャル炭化珪素単結晶ウェハを製造する方法であって、 エピタキシャル成長を開始する前に、エピタキシャル成長炉内にエッチングガスを流して、炭化珪素単結晶基板の表面を算術平均粗さRa値が0.5nm以上3.0nm以下となるように予めエッチングすることを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶ウェハの製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/36 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

C30B29/36 A ,  C30B25/20 ,  C23C16/42 ,  C23C16/02 ,  H01L21/205

Fターム (47件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EC09 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077EE06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA12 ,  4G077TC01 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TC13 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AE23 ,  5F045AF02 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045EE13