特許
J-GLOBAL ID：201803010197255243
静電容量型トランスデューサ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-185796
公開番号（公開出願番号）：特開2015-053620
特許番号：特許第6243668号
出願日： 2013年09月08日
公開日（公表日）： 2015年03月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第一の電極と間隙を挟んで設けられた第二の電極を含む振動膜が振動可能に支持された構造のセルを有する静電容量型トランスデューサの作製方法であって、
前記第一の電極上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に前記振動膜の少なくとも一部をなす第一の絶縁層を形成する工程と、
前記第一の絶縁層上にエッチストップ層を形成する工程と、
エッチング孔を形成して前記犠牲層を除去する工程と、
前記エッチング孔を封止するための封止層を形成する工程と、
前記封止層の前記第一の電極側への正射影において前記間隙に重なる部分の少なくとも一部を前記エッチストップ層まで除去する工程と、
前記間隙に重なる部分の少なくとも一部において、前記エッチストップ層上または前記第一の絶縁層上に、第二の電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする製造方法。
IPC (3件)：
H04R 19/00 ( 200 6.01)
, H04R 23/00 ( 200 6.01)
, H04R 31/00 ( 200 6.01)
H04R 19/00
, H04R 23/00
, H04R 19/00 330
, H04R 31/00 330
