特許

J-GLOBAL ID：201803010328945801

質量分析方法

発明者： 平井 慧 ,  小野木 伯薫 ,  濱 久也
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-156742
公開番号（公開出願番号）：特開2018-025448
出願日： 2016年08月09日
公開日（公表日）： 2018年02月15日
要約：

【課題】試料表面の付着成分の影響を除去して、試料中の所望の元素の量を解析することができる質量分析方法を提供する。【解決手段】本質量分析方法は、試料表面の特定されるある一定領域の付着成分を除去する第1除去工程S01と、上記一定領域への次イオンの第1イオンビームの照射により発生する二次イオンの質量分析から元素量を測定する第1測定工程S10と、上記一定領域への一次イオンの第2イオンビームの照射により発生する二次イオンの質量分析から元素量を測定する第2測定工程S20と、元素量の第1測定工程と第2測定工程との変分を演算する演算工程S30と、を備え、第1除去工程から第1測定工程の第1イオンビーム照射までの第1測定工程導入時間と、第1測定工程の第1イオンビーム照射から第2測定工程の第2イオンビーム照射までの第2測定工程導入時間と、が同じである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

イオンビームを走査して試料表面の任意に特定される一定領域に一次イオンを照射することにより発生する二次イオンの質量を分析する質量分析方法であって、 前記特定される一定領域の付着成分を除去する第1除去工程と、 前記特定される一定領域に前記一次イオンの第1イオンビームを照射することにより発生する前記二次イオンの質量分析から所望の元素の量を測定する第1測定工程と、 前記特定される一定領域に前記一次イオンの第2イオンビームを照射することにより発生する前記二次イオンの質量分析から前記所望の元素の量を測定する第2測定工程と、 前記第1測定工程において測定される前記所望の元素の量と前記第2測定工程において測定される前記所望の元素の量との変分を演算する演算工程と、を備え、 前記第1除去工程から前記第1測定工程における前記第1イオンビームの照射までの時間である第1測定工程導入時間と、前記第1測定工程における前記第1イオンビームの照射から前記第2測定工程における前記第2イオンビームの照射までの時間である第2測定工程導入時間と、が同じであり、 前記第1イオンビームの強度が前記第2イオンビームの強度より強い、質量分析方法。

IPC (3件)：

G01N 27/62 ,  H01J 49/14 ,  H01J 49/26

FI (3件)：

G01N27/62 E ,  H01J49/14 ,  H01J49/26

Fターム (10件)：

2G041CA01 ,  2G041DA16 ,  2G041EA01 ,  2G041LA08 ,  5C038GG02 ,  5C038GH15 ,  5C038GH17 ,  5C038HH02 ,  5C038HH26 ,  5C038HH28