基材接合装置及びこれを使用する基材接合方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：光石俊郎 , 光石春平 , 田中康幸 , 松元洋 , 山田哲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-149296
公開番号（公開出願番号）：特開2018-018997
出願日： 2016年07月29日
公開日（公表日）： 2018年02月01日
要約：

【課題】基材を熱処理して水分を除去することなく常温で接合できる基材接合装置及びこれを使用する基材接合方法を提供する。【解決手段】半導体材料,化合物半導体材料,金属材料,のうちの少なくとも一種からなる第一の基材11と、第二の基材12とを接合する基材接合装置100であって、第一の基材11を保持する下ステージ113と、第二の基材12を保持する上ステージ115と、上ステージ115を昇降させる昇降シリンダ114と、チャンバ111内を排気する排気ポンプ116と、チャンバ111内にAr等のガス1を供給するガス源117と、上下ステージ113,115間にガス1のプラズマ2を発生させる電極板113a,115a及び交流電源118と、プラズマ粒子Mpを第一の基材11の表面へ衝突させて第一の基材11のスパッタ粒子Msを第二の基材12の表面に被着させるアース119とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体材料,化合物半導体材料,金属材料,のうちの少なくとも一種からなる第一の基材と、第二の基材とを接合する基材接合装置であって、チャンバと、前記チャンバ内に配設されて前記第一の基材を着脱可能に保持する第一の基材保持手段と、前記第一の基材保持手段と対向するように前記チャンバ内に配設されて前記第二の基材を着脱可能に保持する第二の基材保持手段と、前記第一の基材保持手段と前記第二の基材保持手段とを対向方向に沿って相対的に接近離反移動させる移動手段と、前記チャンバ内を排気する排気手段と、前記チャンバの内部に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記第一の基材保持手段と前記第二の基材保持手段との対向間に前記原料ガスのプラズマ粒子を発生させるプラズマ生成手段と、前記第一の基材保持手段と前記第二の基材保持手段との対向間に生成した前記プラズマ粒子を前記第一の基材の表面へ衝突させて当該第一の基材の表面をスパッタエッチングすることにより、当該第一の基材のスパッタ粒子を前記第二の基材の表面に被着させるスパッタエッチング手段とを備えていることを特徴とする基材接合装置。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , B23K 20/00 , H01L 21/306

FI (4件)：

H01L21/02 B , B23K20/00 310P , B23K20/00 310A , H01L21/302 102

Fターム (25件)：

4E167AA06 , 4E167AA08 , 4E167AA09 , 4E167AA17 , 4E167AA18 , 4E167AA29 , 4E167BA02 , 4E167CA01 , 4E167CA05 , 4E167CB01 , 4E167CB03 , 4E167DA05 , 5F004AA14 , 5F004BA04 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB08 , 5F004DB12 , 5F004DB19 , 5F004DB20 , 5F004EA38 , 5F004EB08 , 5F004FA08

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